アニール技術を用いた高性能シリコン薄膜トランジスタに関する研究

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著者

    • 野口, 隆 ノグチ, タカシ

書誌事項

タイトル

アニール技術を用いた高性能シリコン薄膜トランジスタに関する研究

著者名

野口, 隆

著者別名

ノグチ, タカシ

学位授与大学

同志社大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第96号

学位授与年月日

1992-02-28

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0005.jp2)
  2. 概要 / p1 (0003.jp2)
  3. 記号表 / p8 (0007.jp2)
  4. 第1章 序言 / p1 (0008.jp2)
  5. 1-1 薄膜トランジスタ(TFT)研究の歴史的背景と研究目的 / p1 (0008.jp2)
  6. 第2章 TFTにおける電気伝導理論 / p4 (0010.jp2)
  7. 2-1 Si薄膜の電気伝導 / p4 (0005.jp2)
  8. 2-2 TFT特性 / p9 (0012.jp2)
  9. 第3章 ポリSi薄膜の熱処理による電気的特性の向上 / p15 (0015.jp2)
  10. 3-1 試料作成および解析方法 / p15 (0015.jp2)
  11. 3-2 結果および検討 / p15 (0015.jp2)
  12. 3-3 結論 / p18 (0017.jp2)
  13. 第4章 Siイオン注入、およびその後の固相成長による大粒径ポリSiの形成 / p20 (0018.jp2)
  14. 4-1 減圧(LP)CVDポリSi膜からの固相成長と電気的特性 / p20 (0018.jp2)
  15. 4-2 グロー放電アモルファスSi薄膜からの固相成長 / p32 (0026.jp2)
  16. 第5章 大粒径ポリSiによるTFT / p35 (0028.jp2)
  17. 5-1 低温プロセスTFT / p35 (0028.jp2)
  18. 5-2 高温プロセスTFT / p42 (0033.jp2)
  19. 第6章 エキシマレーザーアニール技術によるポリSiTFT / p54 (0040.jp2)
  20. 6-1 チップ毎のシングルパルスによるステップ&リピートアニール方式 / p54 (0040.jp2)
  21. 6-2 アモルファスSiに対する直接アニール / p57 (0041.jp2)
  22. 6-3 樹枝状大粒径ポリSiに対する非溶融ELA / p65 (0046.jp2)
  23. 6-4 粒径制御と微小粒径TFT / p72 (0050.jp2)
  24. 第7章 TFTのソース、ドレイン電極としての低抵抗ポリSi薄膜 / p79 (0054.jp2)
  25. 7-1 各イオン種のアニール特性 / p79 (0054.jp2)
  26. 7-2 p型ポリSiの低抵抗化 / p86 (0060.jp2)
  27. 7-3 p型樹枝状ポリSi薄膜に対するRTA効果 / p91 (0063.jp2)
  28. 第8章 結言 / p96 (0067.jp2)
  29. 8-1 結言 / p96 (0067.jp2)
  30. 8-2 謝辞 / p97 (0067.jp2)
  31. 参考文献 / p98 (0068.jp2)
  32. 付録 / p102 (0070.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000082217
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000082425
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000246531
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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