アニール技術を用いた高性能シリコン薄膜トランジスタに関する研究 アニール ギジュツ オ モチイタ コウセイノウ シリコン ハクマク トランジスタ 二カンスル ケンキュウ
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著者
書誌事項
- タイトル
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アニール技術を用いた高性能シリコン薄膜トランジスタに関する研究
- タイトル別名
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アニール ギジュツ オ モチイタ コウセイノウ シリコン ハクマク トランジスタ 二カンスル ケンキュウ
- 著者名
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野口, 隆
- 著者別名
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ノグチ, タカシ
- 学位授与大学
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同志社大学
- 取得学位
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工学博士
- 学位授与番号
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乙第96号
- 学位授与年月日
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1992-02-28
注記・抄録
博士論文
ポリSi薄膜トランジスタ（TFT）の高性能化について、理論的、技術的な観点から種々の問題点を導き、特にトラップ密度や粒径の大小がTFTの電気的特性に与える影響を詳細に解析し、イオン注入やその後のアニール技術などによって充分に実証を行ったものである。特にエキシマレーザアニール（ELA）を用いた、全工程が下地に影響を与えない低温プロセスは、LSIの微細化とガラス上素子特性の向上に資するものとして有益な知見と考えられる。
application/pdf
目次
- 概要/p1 (3コマ目)
- 目次 (5コマ目)
- 2-1 Si薄膜の電気伝導/p4 (5コマ目)
- 記号表/p8 (7コマ目)
- 第1章 序言/p1 (8コマ目)
- 1-1 薄膜トランジスタ(TFT)研究の歴史的背景と研究目的/p1 (8コマ目)
- 第2章 TFTにおける電気伝導理論/p4 (10コマ目)
- 2-2 TFT特性/p9 (12コマ目)
- 第3章 ポリSi薄膜の熱処理による電気的特性の向上/p15 (15コマ目)
- 3-1 試料作成および解析方法/p15 (15コマ目)
- 3-2 結果および検討/p15 (15コマ目)
- 3-3 結論/p18 (17コマ目)
- 第4章 Siイオン注入､およびその後の固相成長による大粒径ポリSiの形成/p20 (18コマ目)
- 4-1 減圧(LP)CVDポリSi膜からの固相成長と電気的特性/p20 (18コマ目)
- 4-2 グロー放電アモルファスSi薄膜からの固相成長/p32 (26コマ目)
- 第5章 大粒径ポリSiによるTFT/p35 (28コマ目)
- 5-1 低温プロセスTFT/p35 (28コマ目)
- 5-2 高温プロセスTFT/p42 (33コマ目)
- 第6章 エキシマレーザーアニール技術によるポリSiTFT/p54 (40コマ目)
- 6-1 チップ毎のシングルパルスによるステップ&リピートアニール方式/p54 (40コマ目)
- 6-2 アモルファスSiに対する直接アニール/p57 (41コマ目)
- 6-3 樹枝状大粒径ポリSiに対する非溶融ELA/p65 (46コマ目)
- 6-4 粒径制御と微小粒径TFT/p72 (50コマ目)
- 第7章 TFTのソース､ドレイン電極としての低抵抗ポリSi薄膜/p79 (54コマ目)
- 7-1 各イオン種のアニール特性/p79 (54コマ目)
- 7-2 p型ポリSiの低抵抗化/p86 (60コマ目)
- 7-3 p型樹枝状ポリSi薄膜に対するRTA効果/p91 (63コマ目)
- 第8章 結言/p96 (67コマ目)
- 8-1 結言/p96 (67コマ目)
- 8-2 謝辞/p97 (67コマ目)
- 参考文献/p98 (68コマ目)
- 付録/p102 (70コマ目)
