フォトルミネセンス法および光伝導法によるⅠ-Ⅲ-Ⅵ[2]族化合物半導体の光物性評価
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Bibliographic Information
- Title
-
フォトルミネセンス法および光伝導法によるⅠ-Ⅲ-Ⅵ[2]族化合物半導体の光物性評価
- Author
-
須崎, 昌己
- Author(Another name)
-
スサキ, マサミ
- University
-
大阪府立大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第683号
- Degree year
-
1992-02-20
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
- 1.2 本論文の概要 / p6 (0008.jp2)
- 1.3 I-III-VI₂族化合物の特徴 / p9 (0009.jp2)
- 参考文献 / p13 (0011.jp2)
- 第2章 ヨー素輸送法で育成したCuGaSe₂単結晶のフォトルミネセンス / p15 (0012.jp2)
- 2.1 はじめに / p15 (0012.jp2)
- 2.2 結晶の育成と実験方法 / p17 (0013.jp2)
- 2.3 実験結果と考察 / p21 (0015.jp2)
- 2.4 まとめ / p32 (0021.jp2)
- 付録 Cu₂Se-Ga₂Se₃擬二元系状態図 / p33 (0021.jp2)
- 参考文献 / p34 (0022.jp2)
- 第3章 I-III-VI₂族化合物の光伝導測定 / p36 (0023.jp2)
- 3.1 はじめに / p36 (0023.jp2)
- 3.2 電極の形成とオーム性の評価 / p37 (0023.jp2)
- 3.3 周期的な励起光を用いた光伝導測定 / p42 (0026.jp2)
- 3.4 まとめ / p47 (0028.jp2)
- 参考文献 / p49 (0029.jp2)
- 第4章 CuGaSe₂の光伝導特性 / p50 (0030.jp2)
- 4.1 はじめに / p50 (0030.jp2)
- 4.2 光伝導励起スペクトル / p51 (0030.jp2)
- 4.3 励起光変調周波数依存性 / p53 (0031.jp2)
- 4.4 過渡応答特性 / p56 (0033.jp2)
- 4.5 励起強度依存性 / p59 (0034.jp2)
- 4.6 まとめ / p60 (0035.jp2)
- 参考文献 / p62 (0036.jp2)
- 第5章 I-III-VI₂族化合物混晶の光伝導 / p63 (0036.jp2)
- 5.1 はじめに / p63 (0036.jp2)
- 5.2 [化学式]S₂系混晶 / p64 (0037.jp2)
- 5.3 [化学式]S₂系混晶 / p71 (0040.jp2)
- 5.4 まとめ / p77 (0043.jp2)
- 参考文献 / p79 (0044.jp2)
- 第6章 光伝導の温度依存性に基づくCuGaS₂の評価 / p81 (0045.jp2)
- 6.1 はじめに / p81 (0045.jp2)
- 6.2 吸収端近傍の光伝導スペクトル / p82 (0046.jp2)
- 6.3 パルス光励起による光伝導減衰特性 / p88 (0049.jp2)
- 6.4 深いドナ-準位による光伝導 / p95 (0052.jp2)
- 6.5 まとめ / p97 (0053.jp2)
- 参考文献 / p100 (0055.jp2)
- 第7章 総括 / p101 (0055.jp2)
- 謝辞 / p106 (0058.jp2)