回転ブリッジマン法によるⅢ-Ⅴ族混晶半導体の結晶成長に関する研究

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著者

    • 小澤, 哲夫 オザワ, テツオ

書誌事項

タイトル

回転ブリッジマン法によるⅢ-Ⅴ族混晶半導体の結晶成長に関する研究

著者名

小澤, 哲夫

著者別名

オザワ, テツオ

学位授与大学

静岡大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第68号

学位授与年月日

1992-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0006.jp2)
  2. 概要 / (0003.jp2)
  3. 目次 / p1 (0006.jp2)
  4. 第1章 序論 / p1 (0008.jp2)
  5. 1-1 本研究の背景 / p1 (0008.jp2)
  6. 1-2 本研究の目的 / p7 (0011.jp2)
  7. 1-3 本論文の構成 / p8 (0012.jp2)
  8. 参考文献 / p9 (0012.jp2)
  9. 第2章 結晶成長装置の製作と結晶評価 / p12 (0014.jp2)
  10. 2-1 はじめに / p12 (0014.jp2)
  11. 2-2 回転ブリッジマン法の原理 / p12 (0014.jp2)
  12. 2-3 結晶成長装置 / p16 (0016.jp2)
  13. 2-4 結晶成長手順 / p25 (0020.jp2)
  14. 2-5 成長結晶の評価 / p28 (0022.jp2)
  15. 2-6 まとめ / p31 (0023.jp2)
  16. 参考文献 / p33 (0024.jp2)
  17. 第3章 回転ブリッジマン法による二元化合物InSbの結晶成長 / p34 (0025.jp2)
  18. 3-1 はじめに / p34 (0025.jp2)
  19. 3-2 実験方法 / p35 (0025.jp2)
  20. 3-3 InSb成長試料の外観 / p36 (0026.jp2)
  21. 3-4 InSb成長試料の顕微鏡観察 / p39 (0027.jp2)
  22. 3-5 InSb成長試料の拡がり抵抗値分布 / p41 (0028.jp2)
  23. 3-6 まとめ / p47 (0031.jp2)
  24. 参考文献 / p47 (0031.jp2)
  25. 第4章 回転ブリッジマン法による三元混晶[化学式]および[化学式]の結晶成長 / p48 (0032.jp2)
  26. 4-1 はじめに / p48 (0032.jp2)
  27. 4-2 実験方法 / p49 (0032.jp2)
  28. 4-3 回転ブリッジマン法を用いた[化学式]結晶成長 / p53 (0034.jp2)
  29. 4-4 回転ブリッジマン法を用いた[化学式]の結晶成長 / p69 (0042.jp2)
  30. 4-5 まとめ / p81 (0048.jp2)
  31. 参考文献 / p83 (0049.jp2)
  32. 第5章 原料供給型の回転ブリッジマン法による三元混晶InSbBiの結晶成長 / p84 (0050.jp2)
  33. 5-1 はじめに / p84 (0050.jp2)
  34. 5-2 回転ブリッジマン法繰り返し原料供給型による[化学式]結晶成長 / p84 (0050.jp2)
  35. 5-3 回転ブリッジマン法常時原料供給型による[化学式]結晶成長 / p91 (0053.jp2)
  36. 5-4 まとめ / p101 (0058.jp2)
  37. 参考文献 / p102 (0059.jp2)
  38. 第6章 四元混晶[化学式]の単結晶成長 / p108 (0059.jp2)
  39. 6-1 はじめに / p103 (0059.jp2)
  40. 6-2 実験方法 / p104 (0060.jp2)
  41. 6-3 垂直ブリッジマン法と回転ブリッジマン法による[化学式]の合成 / p109 (0062.jp2)
  42. 6-4 回転ブリッジマン法と水平ブリッジマン法によるGaAs種結晶を用いた[化学式]の単結晶成長 / p113 (0064.jp2)
  43. 6-5 回転ブリッジマン法によるGaSb種結晶を用いた[化学式]結晶成長 / p120 (0068.jp2)
  44. 6-6 まとめ / p128 (0072.jp2)
  45. 参考文献 / p130 (0073.jp2)
  46. 第7章 四元混晶の初期析出層と熱力学的界面不安定性 / p131 (0073.jp2)
  47. 7-1 はじめに / p131 (0073.jp2)
  48. 7-2 鮫の歯状成長層 / p131 (0073.jp2)
  49. 7-3 二元基板と四元成長層のギブスの自由エネルギーの計算方法 / p137 (0076.jp2)
  50. 7-4 二元基板と四元成長層間のギブスの自由エネルギー差 / p142 (0079.jp2)
  51. 7-5 まとめ / p147 (0081.jp2)
  52. 参考文献 / p148 (0082.jp2)
  53. 第8章 総括 / p149 (0082.jp2)
  54. 付録 / p154 (0085.jp2)
  55. A 固相中の各成分が純粋な状態にあるときの化学ポテンシャル / p154 (0085.jp2)
  56. B 固相中の二元化合物の活量係数 / p155 (0085.jp2)
  57. C 液相中の各成分の活量係数 / p156 (0086.jp2)
  58. D 計算に用いた定数 / p156 (0086.jp2)
  59. 参考文献 / p158 (0087.jp2)
  60. 謝辞 / p159 (0087.jp2)
  61. 研究業績目録 / p160 (0088.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000082250
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000082458
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000246564
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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