バイポーラモード静電誘導トランジスタに関する研究

この論文をさがす

著者

    • 金, 昌佑 キム, チャンウー

書誌事項

タイトル

バイポーラモード静電誘導トランジスタに関する研究

著者名

金, 昌佑

著者別名

キム, チャンウー

学位授与大学

静岡大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第74号

学位授与年月日

1992-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0004.jp2)
  2. 1 概論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 BSITの歴史 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 BSITの構造と素子特性 / p3 (0006.jp2)
  5. 1.3 BSITのデバイスシミュレーションの流れ / p6 (0008.jp2)
  6. 1.4 本研究の目的と各章の概要 / p7 (0008.jp2)
  7. 2 BSITの試作 / p14 (0012.jp2)
  8. 2.1 序言 / p14 (0012.jp2)
  9. 2.2 BSIT試作及び結果 / p15 (0012.jp2)
  10. 3 二次元数値シミュレーション / p21 (0015.jp2)
  11. 3.1 序言 / p21 (0015.jp2)
  12. 3.2 基本方程式及び物理モデル / p22 (0016.jp2)
  13. 3.3 離散化・線形化手法 / p29 (0019.jp2)
  14. 3.4 大型行列方程式の解法 / p39 (0024.jp2)
  15. 3.5 結言 / p42 (0026.jp2)
  16. 4 デバイスシミュレーション結果及び考察 / p46 (0028.jp2)
  17. 4.1 序言 / p46 (0028.jp2)
  18. 4.2 シミュレーションの実行及び有効性 / p47 (0028.jp2)
  19. 4.3 BSITの動作特性解析 / p51 (0030.jp2)
  20. 4.4 結言 / p88 (0049.jp2)
  21. 5 BSITにおける電流特性の改善 / p91 (0050.jp2)
  22. 5.1 序言 / p91 (0050.jp2)
  23. 5.2 チャネルに中間層を作る方法による改善 / p92 (0051.jp2)
  24. 5.3 ゲートの不純物ドーピングプロファイルの最適化による改善 / p101 (0055.jp2)
  25. 5.4 結言 / p104 (0057.jp2)
  26. 6 結論 / p107 (0058.jp2)
  27. 付録A 行列・ベクトル方程式の係数行列の要素の表現式 / p109 (0059.jp2)
  28. 付録B ドレインコンダクタンスの1次元近似式の誘導 / p112 (0061.jp2)
  29. 謝辞 / p114 (0062.jp2)
  30. 研究業績目録 / p115 (0062.jp2)
0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000082256
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000082464
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000246570
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ