微細CMOSデバイスの動作限界に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
微細CMOSデバイスの動作限界に関する研究
- Author
-
青木, 正明
- Author(Another name)
-
アオキ, マサアキ
- University
-
慶應義塾大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第2368号
- Degree year
-
1991-06-05
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 論文目録 / (0001.jp2)
- 論文要旨 / (0007.jp2)
- 目次 / p1 (0008.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0011.jp2)
- 1.1 研究の背景 / p1 (0011.jp2)
- 1.2 本論文の目的と構成 / p7 (0014.jp2)
- 参考文献 / p11 (0016.jp2)
- 第2章 微細CM0SデバイスとCMOS LSIの動作限界 / p13 (0017.jp2)
- 2.1 緒言 / p13 (0017.jp2)
- 2.2 CMOSデバイスの基本構造と動作 / p13 (0017.jp2)
- 2.3 MOSトランジスタの短チャネル効果と比例縮小則 / p17 (0019.jp2)
- 2.4 高電界効果による限界 / p22 (0022.jp2)
- 2.5 定電界比例縮小時の限界 / p23 (0022.jp2)
- 2.6 雑音による限界 / p27 (0024.jp2)
- 2.7 微細CMOSデバイスにおけるその他の限界 / p30 (0026.jp2)
- 2.8 CMOS ULSIチップの限界 / p31 (0026.jp2)
- 2.9 結論 / p35 (0028.jp2)
- 参考文献 / p37 (0029.jp2)
- 第3章 高電界効果による動作限界 / p39 (0030.jp2)
- 3.1 緒言 / p39 (0030.jp2)
- 3.2 高電界下の移動度特性と速度飽和 / p39 (0030.jp2)
- 3.3 LDD構造デバイスにおけるホットキャリア効果 / p46 (0034.jp2)
- 3.4 結論 / p68 (0045.jp2)
- 参考文献 / p69 (0045.jp2)
- 第4章 雑音による動作限界 / p73 (0047.jp2)
- 4.1 緒言 / p73 (0047.jp2)
- 4.2 1/f雑音 / p73 (0047.jp2)
- 4.3 アルファ粒子による雑音電荷の生成とソフトエラー / p98 (0060.jp2)
- 4.4 結論 / p119 (0070.jp2)
- 参考文献 / p120 (0071.jp2)
- 第5章 熱エネルギーによる動作限界 / p125 (0073.jp2)
- 5.1 緒言 / p125 (0073.jp2)
- 5.2 熱エネルギーkTによる限界とCM0Sデバイスの低温動作 / p125 (0073.jp2)
- 5.3 低温CMOSデバイス技術 / p140 (0081.jp2)
- 5.4 結論 / p174 (0098.jp2)
- 参考文献 / p175 (0098.jp2)
- 第6章 総括 / p179 (0100.jp2)
- 付録 / p184 (0103.jp2)
- 謝辞 / p197 (0109.jp2)
- 著者論文と学会発表一覧 / p198 (0110.jp2)