ジョセフソン素子の三端子化に関する基礎的研究

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著者

    • 波多野, 睦子 ハタノ, ムツコ

書誌事項

タイトル

ジョセフソン素子の三端子化に関する基礎的研究

著者名

波多野, 睦子

著者別名

ハタノ, ムツコ

学位授与大学

慶應義塾大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第2378号

学位授与年月日

1991-07-03

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. 目次 / (0005.jp2)
  3. 第1章 序論 / p15 (0009.jp2)
  4. 1.1 研究の背景と目的 / p1 (0007.jp2)
  5. 1.2 本論文の構成 / p3 (0008.jp2)
  6. 参考文献 / p4 (0009.jp2)
  7. 第2章 ジョセフソン素子の三端子化 / p5 (0009.jp2)
  8. 2.1 緒言 / p5 (0009.jp2)
  9. 2.2 ジョセフソン素子とそれを用いた回路の特徴 / p5 (0009.jp2)
  10. 2.3 ジョセフソン素子の三端子化の必要性 / p14 (0014.jp2)
  11. 2.4 ジョセフソン素子の三端子化の基礎現象 / p17 (0015.jp2)
  12. 2.5 本章の結論 / p27 (0020.jp2)
  13. 参考文献 / p28 (0021.jp2)
  14. 第3章 準粒子注入型超伝導三端子素子 / p30 (0022.jp2)
  15. 3.1 緒言 / p30 (0022.jp2)
  16. 3.2 実験方法 / p30 (0022.jp2)
  17. 3.3 素子の静特性 / p36 (0025.jp2)
  18. 3.4 素子の動特性 / p40 (0027.jp2)
  19. 3.5 本章の結論 / p54 (0034.jp2)
  20. 参考文献 / p55 (0034.jp2)
  21. 第4章 超伝導体-半導体系における超伝導の近接効果現象 / p57 (0035.jp2)
  22. 4.1 緒言 / p57 (0035.jp2)
  23. 4.2 超伝導体-半導体の二層構造 / p58 (0036.jp2)
  24. 4.3 超伝導体-半導体-超伝導体の平面構造 / p70 (0042.jp2)
  25. 4.4 近接電子トンネル分光法によるペアポテンシャルの測定 / p83 (0048.jp2)
  26. 4.5 本章の結論 / p94 (0054.jp2)
  27. 参考文献 / p95 (0054.jp2)
  28. 第5章 アンドレエフ反射測定による界面の超伝導特性 / p96 (0055.jp2)
  29. 5.1 緒言 / p96 (0055.jp2)
  30. 5.2 アンドレエフ反射の原理 / p97 (0055.jp2)
  31. 5.3 実験方法 / p99 (0056.jp2)
  32. 5.4 結果と考察 / p109 (0061.jp2)
  33. 5.5 本章の結論 / p121 (0067.jp2)
  34. 参考文献 / (0067.jp2)
  35. 第6章 電界効果型超伝導三端子素子の作製とその動作特性 / p123 (0068.jp2)
  36. 6.1 緒言 / p123 (0068.jp2)
  37. 6.2 素子の構造と作製方法 / p123 (0068.jp2)
  38. 6.3 素子特性 / p132 (0073.jp2)
  39. 6.4 スイッチング素子への応用の可能性 / p141 (0077.jp2)
  40. 6.5 本章の結論 / p143 (0078.jp2)
  41. 参考文献 / p144 (0079.jp2)
  42. 第7章 総論 / p145 (0079.jp2)
  43. 謝辞 / p147 (0081.jp2)
  44. 本研究に関する発表論文 / p148 (0082.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000082513
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000082722
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000246827
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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