電子写真用アモルファスシリコン感光体の作製に関する研究

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著者

    • 玉橋, 邦裕 タマハシ, クニヒロ

書誌事項

タイトル

電子写真用アモルファスシリコン感光体の作製に関する研究

著者名

玉橋, 邦裕

著者別名

タマハシ, クニヒロ

学位授与大学

大阪府立大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第672号

学位授与年月日

1991-11-30

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 緒言 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 本研究の内容概要 / p5 (0008.jp2)
  5. 参考文献 / p6 (0009.jp2)
  6. 第2章 反応性スパッタリング法によるa-Si:H膜の電子写真感光体への適用 / p8 (0011.jp2)
  7. 2.1 緒言 / p8 (0011.jp2)
  8. 2.2 a-Si:H膜の特性 / p8 (0011.jp2)
  9. 2.3 感光ドラムの特性 / p21 (0018.jp2)
  10. 2.4 結言 / p30 (0022.jp2)
  11. 参考文献 / p30 (0022.jp2)
  12. 第3章 イオンビームスパッタリング法によるa-Si:H膜の作製 / p32 (0024.jp2)
  13. 3.1 緒言 / p32 (0024.jp2)
  14. 3.2 実験方法 / p32 (0024.jp2)
  15. 3.3 実験結果及び考察 / p34 (0025.jp2)
  16. 3.4 結言 / p40 (0028.jp2)
  17. 参考文献 / p40 (0028.jp2)
  18. 第4章 高速成膜法 / p41 (0030.jp2)
  19. 4.1 緒言 / p41 (0030.jp2)
  20. 4.2 成膜速度とカソード電極の磁界強度の関係 / p41 (0030.jp2)
  21. 4.3 a-Si:H膜の特性 / p51 (0035.jp2)
  22. 4.4 結言 / p65 (0042.jp2)
  23. 参考文献 / p65 (0042.jp2)
  24. 第5章 表面保護膜の検討 / p67 (0044.jp2)
  25. 5.1 緒言 / p67 (0044.jp2)
  26. 5.2 a-SiC:H表面保護膜 / p67 (0044.jp2)
  27. 5.3 画像流れのメカニズム / p77 (0049.jp2)
  28. 5.4 a-SiC:H膜の表面改質 / p82 (0052.jp2)
  29. 5.5 a-C系表面保護膜 / p96 (0059.jp2)
  30. 5.6 結言 / p108 (0065.jp2)
  31. 参考文献 / p109 (0065.jp2)
  32. 第6章 a-Si:H膜の真性応力 / p111 (0067.jp2)
  33. 6.1 緒言 / p111 (0067.jp2)
  34. 6.2 真性応力とSi-H結合状態 / p111 (0067.jp2)
  35. 6.3 プラズマ分光法による低応力成膜法 / p122 (0073.jp2)
  36. 6.4 低応力a-Si:H感光ドラムの電子写真特性 / p125 (0074.jp2)
  37. 6.5 結言 / p127 (0075.jp2)
  38. 参考文献 / p128 (0076.jp2)
  39. 第7章 総括 / p129 (0077.jp2)
  40. 謝辞 / p131 (0079.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000082852
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000083061
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000247166
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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