Growth processes and fundamental properties of amorphous semiconductor superlattices of a-Ge:H/a-Genx & a-Si:H/a-Sinx アモルファス半導体超格子の作成と基礎物性

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著者

    • 本間, 格 ホンマ, イタル

書誌事項

タイトル

Growth processes and fundamental properties of amorphous semiconductor superlattices of a-Ge:H/a-Genx & a-Si:H/a-Sinx

タイトル別名

アモルファス半導体超格子の作成と基礎物性

著者名

本間, 格

著者別名

ホンマ, イタル

学位授与大学

東京大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第9746号

学位授与年月日

1990-06-14

注記・抄録

博士論文

目次

  1. PROLOGUE / p1 (0003.jp2)
  2. ACKNOWLEDGEMENT / p4 (0006.jp2)
  3. List of Publications / p6 (0008.jp2)
  4. Contents / p9 (0011.jp2)
  5. Chapter I.Introduction / p12 (0014.jp2)
  6. 1-1 Background of This Research / p12 (0014.jp2)
  7. 1-2 The Current Technological Issues of the Amorphous Semiconductor Superlattices / p17 (0019.jp2)
  8. 1-3 The Scientific Significance of This Research in the field of Amorphous Semiconductor Materials / p20 (0022.jp2)
  9. Chapter II Properties of Hydrogenated Amorphous-Germanium Nitrogen Alloys Prepared by Reactive Sputtering / p25 (0027.jp2)
  10. Summary / p25 (0027.jp2)
  11. 2-1 Introduction / p26 (0028.jp2)
  12. 2-2 Experimental / p28 (0030.jp2)
  13. 2-3 Results and Discussion / p29 (0031.jp2)
  14. 2-4 Conclusion / p41 (0043.jp2)
  15. 2-5 Acknowledgement / p43 (0045.jp2)
  16. References / p46 (0048.jp2)
  17. Chapter III Thermally-induced Structural Changes of a-Ge:H/a-GeNx Multilayer Structures / p65 (0067.jp2)
  18. Summary / p65 (0067.jp2)
  19. 3-1 Introduction / p66 (0068.jp2)
  20. 3-2 Experimental / p67 (0069.jp2)
  21. 3-3 Results and Discussion / p69 (0071.jp2)
  22. 3-4 Conclusion / p88 (0090.jp2)
  23. References / p96 (0098.jp2)
  24. ChapterIV Electrical Transport Properties of a-Ge:H/a-GeNx Multilayer Films / p115 (0117.jp2)
  25. Summary / p115 (0117.jp2)
  26. 4-1 Introduction / p116 (0118.jp2)
  27. 4-2 Experiment / p117 (0119.jp2)
  28. 4-3 Results&Discussions / p119 (0121.jp2)
  29. 4-4 Conclusion / p125 (0127.jp2)
  30. Appendix / p127 (0129.jp2)
  31. References / p132 (0134.jp2)
  32. Chapter V Growth Process and Structural Disorder of Reactively-Sputtered a-Si:H/a-SiNx Multilayer Films. / p140 (0142.jp2)
  33. Summary / p140 (0142.jp2)
  34. 5-1 Introduction / p141 (0143.jp2)
  35. 5-2 Experimental / p144 (0146.jp2)
  36. 5-3 Results / p146 (0148.jp2)
  37. 5-4 Conclusions / p151 (0153.jp2)
  38. Appendix / p153 (0155.jp2)
  39. References / p155 (0157.jp2)
  40. Chapter IV Conclusion / p161 (0163.jp2)
  41. EPILOGUE / p167 (0169.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000083073
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000083283
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000247387
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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