MBE成長GaAs結晶における欠陥とその低減化に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
MBE成長GaAs結晶における欠陥とその低減化に関する研究
- Author
-
篠原, 正典
- Author(Another name)
-
シノハラ, マサノリ
- University
-
東京大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第9787号
- Degree year
-
1990-07-12
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1.1 研究の目的 / p1 (0006.jp2)
- 1.2 従来の研究 / p2 (0007.jp2)
- 1.3 本研究の概要 / p8 (0010.jp2)
- 1章参考文献 / p12 (0012.jp2)
- 第2章 MBE結晶成長法と欠陥評価法 / p15 (0013.jp2)
- 2.1 まえがき / p15 (0013.jp2)
- 2.2 MBE成長装置 / p15 (0013.jp2)
- 2.3 結晶成長の手順 / p17 (0014.jp2)
- 2.4 欠陥評価法 / p18 (0015.jp2)
- 2章参考文献 / p28 (0020.jp2)
- 第3章 GaAsエピタキシャル層中のオーバルディフェクトの電気的特性､成因および密度の低減化 / p29 (0020.jp2)
- 3.1 まえがき / p29 (0020.jp2)
- 3.2 結晶構造と電子ビーム誘起電流法による評価 / p30 (0021.jp2)
- 3.3 オーバルディフェクトとFET特性 / p35 (0023.jp2)
- 3.4 オーバルディフェクトの成因 / p44 (0028.jp2)
- 3.5 ディフェクト密度の低減化 / p68 (0040.jp2)
- 3.6 第3章のまとめ / p74 (0043.jp2)
- 3章参考文献 / p77 (0044.jp2)
- 第4章 MBE成長GaAs結晶における欠陥の発生と基板からの欠陥の伝播 / p79 (0045.jp2)
- 4.1 まえがき / p79 (0045.jp2)
- 4.2 エピタキシャル結晶および基板内の欠陥検出法 / p80 (0046.jp2)
- 4.3 転位の発生と基板からの伝播 / p81 (0046.jp2)
- 4.4 成長縞の伝播 / p102 (0057.jp2)
- 4.5 MBE成長GaAs結晶内表面欠陥と基板転位との相関 / p103 (0057.jp2)
- 4.6 第4章のまとめ / p108 (0060.jp2)
- 4章参考文献 / p111 (0061.jp2)
- 第5章 転位のキャリア濃度に与える影響とMBE成長条件との相関 / p114 (0063.jp2)
- 5.1 まえがき / p114 (0063.jp2)
- 5.2 MBE成長条件と実験方法 / p115 (0063.jp2)
- 5.3 成長条件とキャリア濃度との相関 / p117 (0064.jp2)
- 5.4 転位のキャリア濃度への影響の評価法 / p119 (0065.jp2)
- 5.5 GaAsエピタキシャル結晶内転位のキャリア濃度に与える影響 / p130 (0071.jp2)
- 5.6 GaAsエピタキシャル結晶のフォトルミネッセンスによる詐価 / p136 (0074.jp2)
- 5.7 転位の周囲におけるキャリア濃度の不均一性の原因 / p142 (0077.jp2)
- 5.8 第5章のまとめ / p153 (0082.jp2)
- 5章参考文献 / p155 (0083.jp2)
- 第6章 転位密度の低減化法とヘテロ界面近傍での転位の曲折機構 / p158 (0085.jp2)
- 6.1 まえがき / p158 (0085.jp2)
- 6.2 エピタキシャル層構造 / p159 (0085.jp2)
- 6.3 AlGaAs､AlAsスペーサ層の伝播転位抑制効果 / p159 (0085.jp2)
- 6.4 超格子スペーサ層の伝播転位抑制効果 / p161 (0086.jp2)
- 6.5 第6章のまとめ / p189 (0100.jp2)
- 6章参考文献 / p191 (0101.jp2)
- 第7章 総括 / p193 (0102.jp2)
- 謝辞 / p197 (0104.jp2)
- 本研究に関連する発表 / p198 (0105.jp2)