電子分光による機能性材料の評価法に関する研究

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Author

    • 中沢, 正敏 ナカザワ, マサトシ

Bibliographic Information

Title

電子分光による機能性材料の評価法に関する研究

Author

中沢, 正敏

Author(Another name)

ナカザワ, マサトシ

University

東京大学

Types of degree

工学博士

Grant ID

乙第9796号

Degree year

1990-07-12

Note and Description

博士論文

Table of Contents

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1 本研究の背景 / p1 (0005.jp2)
  4. 2 本研究の概要 / p2 (0006.jp2)
  5. 文献 / p6 (0008.jp2)
  6. 第1章 動作状態での単結晶LaB₆エミッタ表面のオージェ分析 / p7 (0008.jp2)
  7. 1.1 緒言 / p7 (0008.jp2)
  8. 1.2 実験 / p8 (0009.jp2)
  9. 1.3 LaB₆エミッタ温度変化に対するオージェ電子強度の変化 / p12 (0011.jp2)
  10. 1.4 酸素雰囲気でのLaB₆エミッタ表面からのオージェ電子強度の変化 / p17 (0013.jp2)
  11. 1.5 LaB₆エミッタの表面状態 / p28 (0019.jp2)
  12. 1.6 結言 / p32 (0021.jp2)
  13. 文献 / p33 (0021.jp2)
  14. 第2章 単結晶三元系ホウ化物(La,M)B₆エミッタ表面のオージェ分析 / p34 (0022.jp2)
  15. 2.1 緒言 / p34 (0022.jp2)
  16. 2.2 実験 / p36 (0023.jp2)
  17. 2.3(La,M)B₆エミッタの表面状態の変化 / p37 (0023.jp2)
  18. 2.4(La,M)B₆エミッタの表面状態と熱電子放射特性 / p50 (0030.jp2)
  19. 2.5 結言 / p53 (0031.jp2)
  20. 文献 / p55 (0032.jp2)
  21. 第3章 光電子分光法によるWC触媒材料表面の評価 / p56 (0033.jp2)
  22. 3.1 緒言 / p56 (0033.jp2)
  23. 3.2 実験 / p56 (0033.jp2)
  24. 3.3 炭化処理後表而の光電子スペクトル / p60 (0035.jp2)
  25. 3.4 W4f､Cls内殼準位の化学シフト / p63 (0036.jp2)
  26. 3.5 WC触媒表面の組成と触媒作用 / p66 (0038.jp2)
  27. 3.6 価電子帯と触媒作用 / p67 (0038.jp2)
  28. 3.7 WC触媒現象に関する検討 / p71 (0040.jp2)
  29. 3.8 結言 / p73 (0041.jp2)
  30. 文献 / p74 (0042.jp2)
  31. 第4章 光電子分光法によるWC形成過程の研究 / p76 (0043.jp2)
  32. 4.1 緒言 / p76 (0043.jp2)
  33. 4.2 実験 / p76 (0043.jp2)
  34. 4.3 炭化処理時間に対するWC表面組成の変化 / p77 (0043.jp2)
  35. 4.4 深さ方向の組成変化 / p81 (0045.jp2)
  36. 4.5 WC形成過程に関する考察 / p84 (0047.jp2)
  37. 4.6 結言 / p85 (0047.jp2)
  38. 文献 / p87 (0048.jp2)
  39. 第5章 シンクロトロン放射光利用の高分解能光電子分光装置の開発 / p88 (0049.jp2)
  40. 5.1 緒言 / p88 (0049.jp2)
  41. 5.2 放射光利用光電了分光の特長 / p89 (0049.jp2)
  42. 5.3 放射光利用光電子分光装置の開発 / p90 (0050.jp2)
  43. 5.4 試作装置の性能評価 / p96 (0053.jp2)
  44. 5.5 入射光強度の評価―入射光エネルギー対 Au 4f 光電子強度 / p97 (0053.jp2)
  45. 5.6 エネルギー分解能の評価 / p104 (0057.jp2)
  46. 5.7 結言 / p106 (0058.jp2)
  47. 文献 / p108 (0059.jp2)
  48. 第6章 Si表面の酸化過程及びSiO₂/Si界面の放射光利用光電子分光法による研究 / p109 (0059.jp2)
  49. 6.1 結言 / p109 (0059.jp2)
  50. 6.2 実験の方法 / p110 (0060.jp2)
  51. 6.3 Si(100)清浄表面 / p110 (0060.jp2)
  52. 6.4 Si(100)表面の酸化とSi2p光電子スペクトル / p112 (0061.jp2)
  53. 6.5 価電子帯スペクトル及びオージェ電子スペクトル / p118 (0064.jp2)
  54. 6.6 表面EXAFS･XANESの利用の試み / p120 (0065.jp2)
  55. 6.7 面方位によるSi表面初期酸化の相異 / p123 (0066.jp2)
  56. 6.8 結言 / p128 (0069.jp2)
  57. 文献 / p129 (0069.jp2)
  58. 第7章 HF処理Si表面の酸化過程及びSiO₂/Si界面の組成―清浄表面との比較 / p130 (0070.jp2)
  59. 7.1 緒言 / p130 (0070.jp2)
  60. 7.2 実験の方法 / p130 (0070.jp2)
  61. 7.3 HF処理Si(1OO)表面の酸化とSi2p光電子スペクトル / p131 (0070.jp2)
  62. 7.4 SiO₂/Si界面の組成 / p135 (0072.jp2)
  63. 7.5 結言 / p138 (0074.jp2)
  64. 文献 / p139 (0074.jp2)
  65. 第8章 結論 / p140 (0075.jp2)
  66. 謝辞 / p145 (0077.jp2)
4access

Codes

  • NII Article ID (NAID)
    500000083123
  • NII Author ID (NRID)
    • 8000000083333
  • DOI(NDL)
  • NDLBibID
    • 000000247437
  • Source
    • NDL ONLINE
    • NDL Digital Collections

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