高速バイポーラ集積回路用U溝素子分離法の研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
高速バイポーラ集積回路用U溝素子分離法の研究
- 著者名
-
玉置, 洋一
- 著者別名
-
タマキ, ヨウイチ
- 学位授与大学
-
東京大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第9830号
- 学位授与年月日
-
1990-09-19
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 内容梗概 / p3 (0004.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1.1 まえがき / p1 (0005.jp2)
- 1.2 バイポーラ集積回路の研究開発における本論の位置付け / p2 (0006.jp2)
- 1.3 本論文の内容 / p4 (0007.jp2)
- 第2章 酸化膜分離プロセスにおける欠陥発生の研究 / p8 (0009.jp2)
- 2.1 まえがき / p8 (0009.jp2)
- 2.2 実験方法 / p9 (0009.jp2)
- 2.3 欠陥発生の選択酸化条件依存性 / p11 (0010.jp2)
- 2.4 選択酸化プロセスの最適化条件 / p15 (0012.jp2)
- 2.5 むすび / p19 (0014.jp2)
- 第3章 選択酸化プロセスにおける転位発生機構の研究 / p24 (0017.jp2)
- 3.1 まえがき / p24 (0017.jp2)
- 3.2 薄膜パターン端で発生する転位の性質 / p25 (0017.jp2)
- 3.3 Si₃N₄膜の応力とSi基板の降伏応力 / p26 (0018.jp2)
- 3.4 Si₃N₄膜エッジからの転位の発生 / p29 (0019.jp2)
- 3.5 SiO₂膜の応力緩和作用 / p32 (0021.jp2)
- 3.6 むすび / p34 (0022.jp2)
- 第4章 U溝分離法(U-Iso)のプロセスと分離特性 / p39 (0024.jp2)
- 4.1 まえがき / p39 (0024.jp2)
- 4.2 U-Isoの構造とプロセス / p40 (0025.jp2)
- 4.3 U-Isoの分離特性 / p43 (0026.jp2)
- 4.4 U-Isoのデバイスの特性 / p46 (0028.jp2)
- 4.5 むすび / p47 (0028.jp2)
- 第5章 U溝分離プロセスにおける欠陥発生の研究 / p53 (0031.jp2)
- 5.1 まえがき / p53 (0031.jp2)
- 5.2 実験方法 / p54 (0032.jp2)
- 5.3 欠陥発生のプロセス条件依存性 / p56 (0033.jp2)
- 5.4 欠陥発生の分離溝形状依存性 / p58 (0034.jp2)
- 5.5 むすび / p62 (0036.jp2)
- 第6章 U溝分離法の高速バイポーラデバイスへの応用 / p67 (0038.jp2)
- 6.1 まえがき / p67 (0038.jp2)
- 6.2 新U-Iso構造とその形成プロセス / p68 (0039.jp2)
- 6.3 トランジスタの高性能化 / p69 (0039.jp2)
- 6.4 バイポーラメモリヘ応用 / p72 (0041.jp2)
- 6.5 むすび / p73 (0041.jp2)
- 第7章 U溝分離法の限界と将来 / p80 (0045.jp2)
- 7.1 まえがき / p80 (0045.jp2)
- 7.2 U溝への酸化膜埋め込みと溝幅の限界 / p81 (0045.jp2)
- 7.3 バイポーラ･トランジスタ微細化の問題点 / p85 (0047.jp2)
- 7.4 むすび / p88 (0049.jp2)
- 第8章 結論 / p95 (0052.jp2)
- 謝辞 / p100 (0055.jp2)
- 参考文献 / p101 (0055.jp2)
- 本論文内容に関する公表論文 / p110 (0060.jp2)
- 著者学会講演 / p111 (0060.jp2)