シミュレーションによる電力用半導体素子の特性研究

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著者

    • 福井, 宏 フクイ, ヒロシ

書誌事項

タイトル

シミュレーションによる電力用半導体素子の特性研究

著者名

福井, 宏

著者別名

フクイ, ヒロシ

学位授与大学

東京大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第9924号

学位授与年月日

1990-12-13

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 半導体のCAE / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 素子シミュレーション / p4 (0007.jp2)
  5. 1.3 電力用素子の開発と素子特性解析への要求 / p7 (0008.jp2)
  6. 1.4 電力用素子のシミュレーションとその特徴 / p12 (0011.jp2)
  7. 1.5 本論文の目的と位置付け / p15 (0012.jp2)
  8. 1.6 参考文献 / p16 (0013.jp2)
  9. 2章 素子シミュレーション / p21 (0016.jp2)
  10. 2.1 モデルの構成 / p21 (0016.jp2)
  11. 2.2 サイリスタの一次元モデル / p25 (0018.jp2)
  12. 2.3 計算の妥当性 / p36 (0024.jp2)
  13. 2.4 サイリスタの二次元モデル / p72 (0042.jp2)
  14. 2.5 まとめ / p84 (0048.jp2)
  15. 2.6 参考文献 / p86 (0049.jp2)
  16. 3章 一次元モデルによるサイリスタの特性研究 / p91 (0052.jp2)
  17. 3.1 サイリスタの開発課題 / p91 (0052.jp2)
  18. 3.2 低濃度pエミッタによる高耐圧化 / p94 (0054.jp2)
  19. 3.3 キャリアライフタイム制御による逆回復電荷変動幅の低減 / p118 (0066.jp2)
  20. 3.4 試作素子の特性 / p128 (0071.jp2)
  21. 3.5 まとめ / p136 (0075.jp2)
  22. 3.6 参考文献 / p137 (0075.jp2)
  23. 4章 二次元モデルによるサイリスタの特性研究 / p139 (0077.jp2)
  24. 4.1 ゲートターンオフサイリスタの開発課題 / p139 (0077.jp2)
  25. 4.2 GTOのターンオン過程と電流集中 / p144 (0080.jp2)
  26. 4.3 GTOのターンオフ動作とその構造依存性 / p159 (0087.jp2)
  27. 4.4 試作素子の特性とその応用技術 / p184 (0100.jp2)
  28. 4.5 まとめ / p211 (0113.jp2)
  29. 4.6 参考文献 / p213 (0114.jp2)
  30. 5章 結論と今後の課題 / p215 (0116.jp2)
  31. 5.1 シミュレーションモデル / p216 (0117.jp2)
  32. 5.2 高耐圧サイリスタの性能向上 / p218 (0118.jp2)
  33. 5.3 ゲートターンオフサイリスタの性能向上 / p219 (0118.jp2)
  34. 5.4 今後に残された課題 / p220 (0119.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000083251
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000083461
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000247565
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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