Research on GaInP/AlInP visible lasers grown by gas source molecular beam epitaxy ガスソース分子線エピタキシー法によるGaInP/AlInP可視光半導体レーザの研究

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著者

    • 菊池, 昭彦 キクチ, アキヒコ

書誌事項

タイトル

Research on GaInP/AlInP visible lasers grown by gas source molecular beam epitaxy

タイトル別名

ガスソース分子線エピタキシー法によるGaInP/AlInP可視光半導体レーザの研究

著者名

菊池, 昭彦

著者別名

キクチ, アキヒコ

学位授与大学

上智大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第123号

学位授与年月日

1992-03-31

注記・抄録

博士論文

目次

  1. CONTENTS / p1 (0006.jp2)
  2. Chapter I / p1 (0010.jp2)
  3. Introduction / p1 (0010.jp2)
  4. 1.1.Introductory Remarks / p1 (0010.jp2)
  5. 1.2.Visible Light Semiconductor Lasers / p2 (0011.jp2)
  6. 1.3.Gas Source Molecular Beam Epitaxy / p10 (0019.jp2)
  7. 1.4.Purpose and Contents of This Thesis / p12 (0021.jp2)
  8. Chapter II / p17 (0026.jp2)
  9. Growth Conditions of AIGalnP Crystals by Gas Source Molecular Beam Epitaxy / p17 (0026.jp2)
  10. 2.1.Introduction / p17 (0026.jp2)
  11. 2.2.Material Parameters of AIGalnP Compound Semiconductors / p18 (0027.jp2)
  12. 2.3.GS-MBE systems / p19 (0028.jp2)
  13. 2.4.Dependency of Optical Properties of GalnP Crystals on Growth Conditions / p33 (0042.jp2)
  14. 2.5.Electrical Properties of GalnP / p47 (0056.jp2)
  15. 2.6 Doping Properties / p47 (0056.jp2)
  16. 2.7.Conclusions / p49 (0058.jp2)
  17. Chapter III / p50 (0059.jp2)
  18. Threshold Current Density Reduction of GalnP/AllnP Lasers by Superlattice Cladding Layer / p50 (0059.jp2)
  19. 3.1.Introduction / p50 (0059.jp2)
  20. 3.2.CalnP/AlInP Double Heterostructure Lasers / p51 (0060.jp2)
  21. 3.3.GalnP/AllnP Superlattice Cladding Layer Lasers / p54 (0063.jp2)
  22. 3.4.GalnP/AllnP Buried Heterostructure (BH) Lasers Grown by Two Step GS-MBE technique / p60 (0069.jp2)
  23. 3.5.Conclusions / p65 (0074.jp2)
  24. Chapter IV / p66 (0075.jp2)
  25. Substrate Misorientation Effects in GalnP/AllnP Lasers / p66 (0075.jp2)
  26. 4.1.Introduction / p66 (0075.jp2)
  27. 4.2.Substrate Misorientation Effects in Optical and Electrical Properties of AlGalnP Layers / p67 (0076.jp2)
  28. 4.3.Lasing Properties of GalnP/AIInP Lasers Grown on Misoriented Substrates / p76 (0085.jp2)
  29. 4.4.Discussion / p85 (0094.jp2)
  30. 4.5.Conclusions / p85 (0094.jp2)
  31. Chapter V / p87 (0096.jp2)
  32. Shortening the Lasing Wavelength by GainP/AllnP Multi Quantum Well Active Layers / p87 (0096.jp2)
  33. 5.1.Introduction / p87 (0096.jp2)
  34. 5.2.Crystal Growth and Device Structures / p88 (0097.jp2)
  35. 5.3.Optical Properties of GalnP/AIInP DH and MQW Structures / p89 (0098.jp2)
  36. 5.4.Theoretical Gain Calculation of AlGalnP MQW Structure / p93 (0102.jp2)
  37. 5.5.Lasing Properties of GalnP/AlInP SLB-MQW-SLC Lasers / p95 (0104.jp2)
  38. 5.6.Discussion / p102 (0111.jp2)
  39. 5.7.Conclusions / p106 (0115.jp2)
  40. Chapter VI / p108 (0117.jp2)
  41. Enhanced Carrier Confinement Effect by Multi Quantum Barrier Structures / p108 (0117.jp2)
  42. 6.1.Introduction / p108 (0117.jp2)
  43. 6.2.Concepts of MQB / p109 (0118.jp2)
  44. 6.3.Lasing Performances of 660nm GalnP/AlInP MQB Lasers / p109 (0118.jp2)
  45. 6.4.Conclusions / p115 (0124.jp2)
  46. Chapter VII / p116 (0125.jp2)
  47. Concluding Remarks / p116 (0125.jp2)
  48. ACKNOWLEDGMENTS / p119 (0128.jp2)
  49. REFERENCES / p121 (0130.jp2)
  50. LIST OF THE PUBLICATIONS / p140 (0149.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000083617
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000083827
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000247931
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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