Study on device degradation of MOSFETs and its evaluation methods MOSデバイスの特性劣化の機構およびその評価法に関する研究

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著者

    • 安田, 直樹 ヤスダ, ナオキ

書誌事項

タイトル

Study on device degradation of MOSFETs and its evaluation methods

タイトル別名

MOSデバイスの特性劣化の機構およびその評価法に関する研究

著者名

安田, 直樹

著者別名

ヤスダ, ナオキ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第4571号

学位授与年月日

1992-03-25

注記・抄録

博士論文

10264

博士(工学)

1992-03-25

大阪大学

14401甲第04571号

目次

  1. Contents / p2 (0004.jp2)
  2. 1 General Introduction / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 Device degradation induced by hot carriers / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 Improvement of device performance using SOI MOSFETs / p3 (0006.jp2)
  5. 1.3 Overview of this study / p4 (0007.jp2)
  6. References / p6 (0008.jp2)
  7. 2 Mechanism of Interface-State Generation due to Hot Carriers / p9 (0009.jp2)
  8. 2.1 Dependence of interface-state generation on the gate-oxide field / p9 (0009.jp2)
  9. 2.2 Interface-state generation in device operation / p18 (0014.jp2)
  10. Appendices / p28 (0019.jp2)
  11. References / p31 (0020.jp2)
  12. 3 Charge-Trapping Characteristics in the Gate Oxide of MOSFETs / p35 (0022.jp2)
  13. 3.1 Evaluation of charge centroid using a MOSFET with a depleted gate / p36 (0023.jp2)
  14. 3.2 Spatial distribution of hole traps in the gate oxide / p51 (0030.jp2)
  15. References / p65 (0037.jp2)
  16. 4 Carrier-Lifetime Measurement Method for Thin-Film SOI MOSFETs / p69 (0039.jp2)
  17. 4.1 Introduction / p69 (0039.jp2)
  18. 4.2 Theory / p70 (0040.jp2)
  19. 4.3 Experimental results / p76 (0043.jp2)
  20. 4.4 Conclusions / p81 (0045.jp2)
  21. Appendices / p81 (0045.jp2)
  22. References / p83 (0046.jp2)
  23. 5 Device Model of SOI MOSFETs Including Self-Heating Effect / p85 (0047.jp2)
  24. 5.1 Introduction / p85 (0047.jp2)
  25. 5.2 Device model including self-heating effect / p86 (0048.jp2)
  26. 5.3 Measurement of drain-current characteristics / p94 (0052.jp2)
  27. 5.4 Calculated results / p101 (0055.jp2)
  28. 5.5 Conclusions / p108 (0059.jp2)
  29. Appendices / p108 (0059.jp2)
  30. References / p111 (0060.jp2)
  31. 6 Summary / p113 (0061.jp2)
  32. List of Publications / p115 (0062.jp2)
1アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000084393
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000084605
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000248707
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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