Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のマスクレスレーザー誘起エッチング

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著者

    • 李, 天 イ, チョン

書誌事項

タイトル

Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のマスクレスレーザー誘起エッチング

著者名

李, 天

著者別名

イ, チョン

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第4579号

学位授与年月日

1992-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 要旨 / p2 (0004.jp2)
  2. 目次 / p6 (0008.jp2)
  3. 第I章 序論 / p1 (0010.jp2)
  4. 1-1 研究の背景 / p1 (0010.jp2)
  5. 1-2 研究の目的 / p4 (0013.jp2)
  6. 1-3 本論文の構成 / p6 (0015.jp2)
  7. 第2章 反応基礎過程と実験方法 / p9 (0018.jp2)
  8. 2-1 緒言 / p9 (0018.jp2)
  9. 2-2 反応の基礎過程 / p10 (0019.jp2)
  10. 2-3 加工および測定 / p21 (0030.jp2)
  11. 2-4 結言 / p29 (0038.jp2)
  12. 第3章 レーザー誘起ウェットエッチング / p31 (0040.jp2)
  13. 3-1 緒言 / p31 (0040.jp2)
  14. 3-2 レーザーパワー依存性 / p32 (0041.jp2)
  15. 3-3 ビーム走査速度依存性 / p35 (0044.jp2)
  16. 3-4 エッチング特性の比較 / p38 (0047.jp2)
  17. 3-5 微細パターンの形成 / p43 (0052.jp2)
  18. 3-6 結言 / p45 (0054.jp2)
  19. 第4章 レーザー誘起ドライエッチング / p47 (0056.jp2)
  20. 4-1 緒言 / p47 (0056.jp2)
  21. 4-2 反応生成物の堆積とその制御 / p48 (0057.jp2)
  22. 4-3 レーザーパワー、走査速度、ガス圧依存性 / p51 (0060.jp2)
  23. 4-4 微細パターンの形成 / p56 (0065.jp2)
  24. 4-5 レーザー誘起ウェットエッチングとの比較 / p57 (0066.jp2)
  25. 4-6 結言 / p59 (0068.jp2)
  26. 第5章 加工層の評価 / p60 (0069.jp2)
  27. 5-1 緒言 / p60 (0069.jp2)
  28. 5-2 ウェットエッチング加工層の評価 / p61 (0070.jp2)
  29. 5-3 ドライエッチング加工層の評価 / p70 (0079.jp2)
  30. 5-4 加工法による損傷の比較 / p73 (0082.jp2)
  31. 5-5 結言 / p74 (0083.jp2)
  32. 第6章 結論 / p76 (0085.jp2)
  33. 謝辞 / p79 (0088.jp2)
  34. 参考文献 / p81 (0090.jp2)
  35. 研究業績 / p87 (0096.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000084401
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000084613
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000248715
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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