Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のマスクレスレーザー誘起エッチング
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Author
Bibliographic Information
- Title
-
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導体のマスクレスレーザー誘起エッチング
- Author
-
李, 天
- Author(Another name)
-
イ, チョン
- University
-
大阪大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
甲第4579号
- Degree year
-
1992-03-25
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 要旨 / p2 (0004.jp2)
- 目次 / p6 (0008.jp2)
- 第I章 序論 / p1 (0010.jp2)
- 1-1 研究の背景 / p1 (0010.jp2)
- 1-2 研究の目的 / p4 (0013.jp2)
- 1-3 本論文の構成 / p6 (0015.jp2)
- 第2章 反応基礎過程と実験方法 / p9 (0018.jp2)
- 2-1 緒言 / p9 (0018.jp2)
- 2-2 反応の基礎過程 / p10 (0019.jp2)
- 2-3 加工および測定 / p21 (0030.jp2)
- 2-4 結言 / p29 (0038.jp2)
- 第3章 レーザー誘起ウェットエッチング / p31 (0040.jp2)
- 3-1 緒言 / p31 (0040.jp2)
- 3-2 レーザーパワー依存性 / p32 (0041.jp2)
- 3-3 ビーム走査速度依存性 / p35 (0044.jp2)
- 3-4 エッチング特性の比較 / p38 (0047.jp2)
- 3-5 微細パターンの形成 / p43 (0052.jp2)
- 3-6 結言 / p45 (0054.jp2)
- 第4章 レーザー誘起ドライエッチング / p47 (0056.jp2)
- 4-1 緒言 / p47 (0056.jp2)
- 4-2 反応生成物の堆積とその制御 / p48 (0057.jp2)
- 4-3 レーザーパワー､走査速度､ガス圧依存性 / p51 (0060.jp2)
- 4-4 微細パターンの形成 / p56 (0065.jp2)
- 4-5 レーザー誘起ウェットエッチングとの比較 / p57 (0066.jp2)
- 4-6 結言 / p59 (0068.jp2)
- 第5章 加工層の評価 / p60 (0069.jp2)
- 5-1 緒言 / p60 (0069.jp2)
- 5-2 ウェットエッチング加工層の評価 / p61 (0070.jp2)
- 5-3 ドライエッチング加工層の評価 / p70 (0079.jp2)
- 5-4 加工法による損傷の比較 / p73 (0082.jp2)
- 5-5 結言 / p74 (0083.jp2)
- 第6章 結論 / p76 (0085.jp2)
- 謝辞 / p79 (0088.jp2)
- 参考文献 / p81 (0090.jp2)
- 研究業績 / p87 (0096.jp2)