高性能超LSIの高信頼度化製造技術に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
高性能超LSIの高信頼度化製造技術に関する研究
- 著者名
-
河津, 哲
- 著者別名
-
カワズ, サトル
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第5581号
- 学位授与年月日
-
1992-01-16
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- 1-1 研究の背景 / p1 (0005.jp2)
- 1-2 本研究の目的と意義 / p1 (0005.jp2)
- 1-3 本研究の内容 / p3 (0006.jp2)
- 第2章 MOS型電界効果トランジスタの二次元デバイスモデリングとその動作解析 / p5 (0007.jp2)
- 2-1 序 / p5 (0007.jp2)
- 2-2 二次元シミュレーション用デバイスモデル / p7 (0008.jp2)
- 2-3 パンチスルー現象の解析(サブスレッシュホールド電流) / p15 (0012.jp2)
- 2-4 降伏現象の解析 / p22 (0016.jp2)
- 2-5 SOIデバイスの電気特性 / p34 (0022.jp2)
- 2-6 まとめ / p40 (0025.jp2)
- 第3章 高集積化バイポーラデバイス構造の最適化 / p43 (0026.jp2)
- 3-1 序 / p43 (0026.jp2)
- 3-2 バイポーラLSIの分離構造形成プロセス / p44 (0027.jp2)
- 3-3 二次元デバイスシミュレーションの適用 / p45 (0027.jp2)
- 3-4 埋め込み酸化膜の形成方法による分離耐圧の相違 / p46 (0028.jp2)
- 3-5 分離イオン注入量が分離耐圧に与える効果 / p51 (0030.jp2)
- 3-6 まとめ / p53 (0031.jp2)
- 第4章 イオン照射ならびにプラズマプロセス誘起欠陥の評価 / p55 (0032.jp2)
- 4-1 序 / p55 (0032.jp2)
- 4-2 SOI基板作成のための酸素イオン注入誘起欠陥の評価 / p55 (0032.jp2)
- 4-3 プラズマエッチング誘起欠陥の評価 / p69 (0039.jp2)
- 4-4 まとめ / p76 (0043.jp2)
- 第5章 EXAFS法による薄膜評価 / p78 (0044.jp2)
- 5-1 序 / p78 (0044.jp2)
- 5-2 試料作成法及び測定システム / p78 (0044.jp2)
- 5-3 EXAFSデータ解析法 / p79 (0044.jp2)
- 5-4 タングステン薄膜評価 / p88 (0049.jp2)
- 5-5 まとめ / p91 (0050.jp2)
- 第6章 超LSIの性能評価とその自動化データ収集技術 / p93 (0051.jp2)
- 6-1 序 / p93 (0051.jp2)
- 6-2 自動測定システム / p94 (0052.jp2)
- 6-3 VLSI開発におけるウェハ処理管理システム / p108 (0059.jp2)
- 6-4 まとめ / p120 (0065.jp2)
- 第7章 結論 / p122 (0066.jp2)
- 謝辞 / p124 (0067.jp2)
- 研究業績目録 / p125 (0067.jp2)
