ディジタル集積回路の耐放射線性評価法に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
ディジタル集積回路の耐放射線性評価法に関する研究
- 著者名
-
上村, 博
- 著者別名
-
カミムラ, ヒロシ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第5587号
- 学位授与年月日
-
1992-01-22
注記・抄録
博士論文
目次
- 要旨 / p1 (0003.jp2)
- 目次 / p4 (0006.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0008.jp2)
- 1.1 放射線によるディジタル集積回路の特性劣化とそれに伴う問題 / p1 (0008.jp2)
- 1.2 ディジタル集積回路の耐放射線性評価法に関する従来の研究 / p2 (0009.jp2)
- 1.3 本研究の目的と意義 / p5 (0012.jp2)
- 参考文献(第1章) / p6 (0013.jp2)
- 図表(第1章) / p8 (0015.jp2)
- 第2章 CMOS汎用ロジックICの劣化特性評価法 / p9 (0016.jp2)
- 2.1 ディジタルICの劣化要因 / p9 (0016.jp2)
- 2.2 評価手順 / p9 (0016.jp2)
- 2.3 インバータICを用いた検証実験 / p10 (0017.jp2)
- 2.4 実験結果と検討 / p12 (0019.jp2)
- 2.5 まとめ / p17 (0024.jp2)
- 参考文献(第2章) / p18 (0025.jp2)
- 図表(第2章) / p19 (0026.jp2)
- 第3章 インパルス応答法を応用した劣化特性の線量率依存性評価法 / p31 (0038.jp2)
- 3.1 閾値電圧シフトの線形モデル / p31 (0038.jp2)
- 3.2 インバータ1Cを用いた検証実験 / p34 (0041.jp2)
- 3.3 実験結果と検討 / p36 (0043.jp2)
- 3.4 まとめ / p38 (0045.jp2)
- 参考文献(第3章) / p38 (0045.jp2)
- 図表(第3章) / p40 (0047.jp2)
- 第4章 LSI用MOSFETの劣化特性評価法 / p47 (0054.jp2)
- 4.1 LSI用MOSFETの劣化特性評価に伴う問題点 / p47 (0054.jp2)
- 4.2 リーク電流の線形モデル / p48 (0055.jp2)
- 4.3 閾値電圧シフトのモデルパラメータ決定法 / p49 (0056.jp2)
- 4.4 サブミクロンMOSFETを用いた検証実験 / p51 (0058.jp2)
- 4.5 実験結果と検討 / p52 (0059.jp2)
- 4.6 まとめ / p55 (0062.jp2)
- 参考文献(第4章) / p55 (0062.jp2)
- 図表(第4章) / p57 (0064.jp2)
- 第5章 MOSFETの劣化特性の温度依存性 / p70 (0077.jp2)
- 5.1 集積線量効果の温度依存性の問題点 / p70 (0077.jp2)
- 5.2 閾値電圧シフトとリーク電流の温度依存性評価法 / p70 (0077.jp2)
- 5.3 サブミクロンMOSFETを用いた検証実験 / p72 (0079.jp2)
- 5.4 実験結果と検討 / p73 (0080.jp2)
- 5.5 まとめ / p78 (0085.jp2)
- 参考文献(第5章) / p79 (0086.jp2)
- 図表(第5章) / p81 (0088.jp2)
- 第6章 結論 / p90 (0097.jp2)
- 6.1 研究の結論 / p90 (0097.jp2)
- 6.2 今後の課題 / p92 (0099.jp2)
- 参考文献(第6章) / p93 (0100.jp2)
- 本論文に関わる主要論文リスト / p95 (0102.jp2)
- 謝辞 / p96 (0103.jp2)
