IC用高品質GaAs結晶の成長法に関する研究

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著者

    • 横川, 正道 ヨコガワ, マサミチ

書誌事項

タイトル

IC用高品質GaAs結晶の成長法に関する研究

著者名

横川, 正道

著者別名

ヨコガワ, マサミチ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5598号

学位授与年月日

1992-01-22

注記・抄録

博士論文

10005

博士(工学)

1992-01-22

大阪大学

14401乙第05598号

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 GaAsIC用結晶の研究開発動向 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的と概要 / p3 (0006.jp2)
  5. 参考文献 / p6 (0008.jp2)
  6. 第2章 GaAs結晶の大型化 / p8 (0009.jp2)
  7. 2.1 4"φ高品質結晶の開発 / p10 (0010.jp2)
  8. 2.2 5"φ結晶の試作 / p13 (0011.jp2)
  9. 2.3 大口径化の将来動向 / p16 (0013.jp2)
  10. 2.4 3"φ長尺結晶の開発 / p17 (0013.jp2)
  11. 2.5 まとめ / p22 (0016.jp2)
  12. 参考文献 / p24 (0017.jp2)
  13. 第3章 GaAs結晶の低転位化 / p26 (0018.jp2)
  14. 3.1 成長熱環境の検討 / p27 (0018.jp2)
  15. 3.2 低温度勾配化の問題点 / p29 (0019.jp2)
  16. 3.3 中性不純物ドープによる低転位化 / p29 (0019.jp2)
  17. 3.4 G/R制御によるInドープ結晶の長尺化技術の開発 / p30 (0020.jp2)
  18. 3.5 磁場印加LEC法 / p37 (0023.jp2)
  19. 3.6 まとめ / p37 (0023.jp2)
  20. 参考文献 / p39 (0024.jp2)
  21. 第4章 GaAs結晶の高純度化と組成制御 / p43 (0026.jp2)
  22. 4.1 炭素不純物の制御 / p43 (0026.jp2)
  23. 4.2 ボロン不純物の検討 / p46 (0028.jp2)
  24. 4.3 GaAs結晶の組成制御 / p48 (0029.jp2)
  25. 4.4 まとめ / p53 (0031.jp2)
  26. 参考文献 / p54 (0032.jp2)
  27. 第5章 インゴットア二ール技術 / p57 (0033.jp2)
  28. 5.1 2次元自動PLマッピング装置の開発 / p57 (0033.jp2)
  29. 5.2 材料特性の均一化 / p62 (0036.jp2)
  30. 5.3 EL2以外の固有欠陥の挙動 / p64 (0037.jp2)
  31. 5.4 EL2制御 / p67 (0038.jp2)
  32. 5.5 まとめ / p68 (0039.jp2)
  33. 参考文献 / p69 (0039.jp2)
  34. 第6章 結晶の電気特性 / p72 (0041.jp2)
  35. 6.1 基礎理論 / p72 (0041.jp2)
  36. 6.2 高抵抗試料の測定技術 / p74 (0042.jp2)
  37. 6.3 比抵抗と炭素濃度の相関検討 / p76 (0043.jp2)
  38. 6.4 急冷後の比抵抗変化 / p77 (0043.jp2)
  39. 6.5 マイクロ比抵抗の均一性 / p78 (0044.jp2)
  40. 6.6 ABエッチングによる基板均一性評価 / p79 (0044.jp2)
  41. 6.7 まとめ / p82 (0046.jp2)
  42. 参考文献 / p83 (0046.jp2)
  43. 第7章 基板比抵抗とVthの関係 / p84 (0047.jp2)
  44. 7.1 基本モデル / p85 (0047.jp2)
  45. 7.2 実験結果 / p87 (0048.jp2)
  46. 7.3 考察 / p89 (0049.jp2)
  47. 7.4 比抵抗仕様検討 / p92 (0051.jp2)
  48. 7.5 EL2の影響 / p93 (0051.jp2)
  49. 7.6 ストイキオメトリの影響 / p94 (0052.jp2)
  50. 7.7 まとめ / p95 (0052.jp2)
  51. 参考文献 / p96 (0053.jp2)
  52. 第8章 GaAsIC用適正基板の検討 / p97 (0053.jp2)
  53. 8.1 Vth制御性 / p98 (0054.jp2)
  54. 8.2 Vth面内均一性(σVth) / p99 (0054.jp2)
  55. 8.3 プロファイル急峻性 / p99 (0054.jp2)
  56. 8.4 リーグ電流 / p100 (0055.jp2)
  57. 8.5 サイドゲート効果 / p101 (0055.jp2)
  58. 8.6 熱安定性 / p101 (0055.jp2)
  59. 8.7 今後の課題 / p102 (0056.jp2)
  60. 8.8 まとめ / p103 (0056.jp2)
  61. 参考文献 / p105 (0057.jp2)
  62. 第9章 総括 / p106 (0058.jp2)
  63. 謝辞 / p109 (0059.jp2)
  64. 研究業績 / p110 (0060.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000084448
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000084660
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000248762
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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