蛍光体薄膜とエレクトロルミネッセンス表示装置に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
蛍光体薄膜とエレクトロルミネッセンス表示装置に関する研究
- 著者名
-
任田, 隆夫
- 著者別名
-
トウダ, タカオ
- 学位授与大学
-
大阪大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
乙第5645号
- 学位授与年月日
-
1992-02-25
注記・抄録
博士論文
目次
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
- 1.1 研究の背景 / p1 (0004.jp2)
- 1.2 研究の目的 / p5 (0006.jp2)
- 1.3 論文の構成 / p5 (0006.jp2)
- 参考文献 / p7 (0007.jp2)
- 第2章 電子ビーム加熱真空蒸着法による蛍光体薄膜 / p11 (0009.jp2)
- 2.1 緒言 / p11 (0009.jp2)
- 2.2 2源蒸着法によるZnS:Mn薄膜 / p12 (0010.jp2)
- 2.3 大粒径ZnS焼結体蒸発源を用いたZnS薄膜 / p16 (0012.jp2)
- 2.4 結言 / p19 (0013.jp2)
- 参考文献 / p21 (0014.jp2)
- 第3章 スパッタリング法による蛍光体薄膜 / p23 (0015.jp2)
- 3.1 緒言 / p23 (0015.jp2)
- 3.2 SnO₂:Eu薄膜 / p24 (0016.jp2)
- 3.3 ZnS:Tb,P薄膜 / p28 (0018.jp2)
- 3.4 ZnS:Sm,P薄膜 / p38 (0023.jp2)
- 3.5 結言 / p42 (0025.jp2)
- 参考文献 / p43 (0025.jp2)
- 第4章 分子線エピタキシー法による薄膜 / p45 (0026.jp2)
- 4.1 緒言 / p45 (0026.jp2)
- 4.2 SrS:Ce,C1薄膜 / p46 (0027.jp2)
- 4.3 CaS薄膜のエピタキシャル成長 / p56 (0032.jp2)
- 4.4 MnS薄膜のエピタキシャル成長 / p63 (0035.jp2)
- 4.5 結言 / p72 (0040.jp2)
- 参考文献 / p75 (0041.jp2)
- 第5章 エレクトロルミネッセンス素子の構成と特性 / p77 (0042.jp2)
- 5.1 緒言 / p77 (0042.jp2)
- 5.2 駆動電圧の低減と絶縁破壊現象 / p78 (0043.jp2)
- 5.3 発光特性の経時変化 / p84 (0046.jp2)
- 5.4 結言 / p90 (0049.jp2)
- 参考文献 / p92 (0050.jp2)
- 第6章 マルチカラーEL表示装置の試作 / p93 (0050.jp2)
- 6.1 緒言 / p93 (0050.jp2)
- 6.2 マルチカラーパネルの設計と試作 / p93 (0050.jp2)
- 6.3 マルチカラーパネルの駆動と特性 / p99 (0053.jp2)
- 6.4 結言 / p103 (0055.jp2)
- 参考文献 / p104 (0056.jp2)
- 第7章 結論 / p105 (0056.jp2)
- 付録 原子間力顕微鏡の開発と応用 / p113 (0060.jp2)
- 謝辞 / p122 (0065.jp2)
- 研究業績 / p123 (0065.jp2)
