アモルファスシリコン薄膜およびその超格子の電気伝導に関する研究 アモルファスシリコン ハクマク オヨビ ソノ チョウコウシ ノ デンキ デンドウ ニカンスル ケンキュウ

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著者

    • 服部, 励治 ハットリ, レイジ

書誌事項

タイトル

アモルファスシリコン薄膜およびその超格子の電気伝導に関する研究

タイトル別名

アモルファスシリコン ハクマク オヨビ ソノ チョウコウシ ノ デンキ デンドウ ニカンスル ケンキュウ

著者名

服部, 励治

著者別名

ハットリ, レイジ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5649号

学位授与年月日

1992-02-25

注記・抄録

博士論文

10058

博士(工学)

1992-02-25

大阪大学

14401乙第05649号

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 参考文献 / p3 (0006.jp2)
  4. 第2章 アモルファス半導体のキャリア輸送 / p4 (0007.jp2)
  5. 2.1.緒言 / p4 (0007.jp2)
  6. 2.2.多重捕獲モデル / p6 (0008.jp2)
  7. 2.3.a-Si:Hの電子輸送シミュレーション / p9 (0009.jp2)
  8. 2.4.タイム・オブ・フライト(TOF)測定 / p16 (0013.jp2)
  9. 2.5.結言 / p19 (0014.jp2)
  10. 参考文献 / p19 (0014.jp2)
  11. 第3章 ジシラン(Si₂H₆)から作製したa-Si:Hの光電特性と電子輸送現象 / p21 (0015.jp2)
  12. 3.1.緒言 / p21 (0015.jp2)
  13. 3.2.試料作製と実験方法 / p22 (0016.jp2)
  14. 3.3.結果及び検討 / p26 (0018.jp2)
  15. 3.4.結言 / p35 (0022.jp2)
  16. 参考文献 / p36 (0023.jp2)
  17. 第4章 a-SiCx:Hの電子輸送 / p38 (0024.jp2)
  18. 4.1.緒言 / p38 (0024.jp2)
  19. 4.2.試料作製と測定評価方法 / p39 (0024.jp2)
  20. 4.3.結果及び検討 / p40 (0025.jp2)
  21. 4.4.結言 / p46 (0028.jp2)
  22. 参考文献 / p46 (0028.jp2)
  23. 第5章 アモルファス半導体超格子薄膜の電気伝導 / p47 (0028.jp2)
  24. 5.1.緒言 / p47 (0028.jp2)
  25. 5.2.超格子薄膜の作製と評価 / p49 (0029.jp2)
  26. 5.3.試料及び測定方法 / p52 (0031.jp2)
  27. 5.4.実験結果 / p53 (0031.jp2)
  28. 5.5.検討 / p57 (0033.jp2)
  29. 5.6.結言 / p69 (0039.jp2)
  30. 参考文献 / p70 (0040.jp2)
  31. 第6章 アモルファスシリコンの高電界電子輸送特性 / p72 (0041.jp2)
  32. 6.1.緒言 / p72 (0041.jp2)
  33. 6.2.実験方法及び結果 / p73 (0041.jp2)
  34. 6.3.考察 / p77 (0043.jp2)
  35. 6.4.結言 / p81 (0045.jp2)
  36. 参考文献 / p82 (0046.jp2)
  37. 第7章 結論 / p83 (0046.jp2)
  38. 謝辞 / p86 (0048.jp2)
  39. 研究業績 / p87 (0048.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000084499
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000084711
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000248813
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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