半導体集積回路におけるアルミニウム合金多層配線の研究

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著者

    • 真弓, 周一 マユミ, シュウイチ

書誌事項

タイトル

半導体集積回路におけるアルミニウム合金多層配線の研究

著者名

真弓, 周一

著者別名

マユミ, シュウイチ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5651号

学位授与年月日

1992-02-25

注記・抄録

博士論文

10060

博士(工学)

1992-02-25

大阪大学

14401乙第05651号

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 緒言 / p1 (0004.jp2)
  3. 第2章 A1合金配線の物理、化学特性の変化 / p6 (0007.jp2)
  4. 2.1)A1合金配線のアフターコロージョン / p6 (0007.jp2)
  5. 2.2)A1合金配線の応力による断線不良 / p14 (0011.jp2)
  6. 2.3)応力によるA1-Si合金からのコンタクト部へのSi析出 / p24 (0016.jp2)
  7. 第3章 A1合金配線の加工技術 / p30 (0019.jp2)
  8. 3.1)下層配線の上部角のテーパー加工 / p30 (0019.jp2)
  9. 3.2)上層配線のエッチング技術 / p36 (0022.jp2)
  10. 第4章 層間絶縁膜の平坦化技術 / p43 (0025.jp2)
  11. 4.1)PSG膜の高圧溶融技術 / p43 (0025.jp2)
  12. 4.2)エッチバック平坦化技術 / p50 (0029.jp2)
  13. 第5章 コンタクト形成技術 / p60 (0034.jp2)
  14. 5.1)BPSG膜のコンタクト穴におけるSiの増殖酸化 / p60 (0034.jp2)
  15. 5.2)バイアホールのエッチング時に成長するポリマー膜のA1/A1コンタクト抵抗への影響 / p66 (0037.jp2)
  16. 5.3 )A1腐食に起因するA1配線とA1配線間のコンタクト不良 / p71 (0039.jp2)
  17. 第6章 結論 / p83 (0045.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000084501
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000084713
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000248815
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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