集束イオンビーム装置の開発と微細加工への応用に関する研究

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著者

    • 山口, 博司 ヤマグチ, ヒロシ

書誌事項

タイトル

集束イオンビーム装置の開発と微細加工への応用に関する研究

著者名

山口, 博司

著者別名

ヤマグチ, ヒロシ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5652号

学位授与年月日

1992-02-25

注記・抄録

博士論文

10061

博士(工学)

1992-02-25

大阪大学

14401乙第05652号

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 電子デバイスの微細加工技術 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 集束イオンビーム技術の開発動向 / p5 (0007.jp2)
  5. 1.3 集束イオンビーム加工技術の特徴と開発課題 / p7 (0008.jp2)
  6. 参考文献 / p10 (0010.jp2)
  7. 第2章 サブミクロン・イオンビーム加工装置の開発 / p13 (0011.jp2)
  8. 2.1 緒言 / p13 (0011.jp2)
  9. 2.2 サブミクロン・イオンビーム加工装置の構想 / p13 (0011.jp2)
  10. 2.3 液体金属イオン源の開発 / p17 (0013.jp2)
  11. 2.4 サブミクロン・イオンビーム光学系の開発 / p33 (0021.jp2)
  12. 2.5 結言 / p63 (0036.jp2)
  13. 参考文献 / p64 (0037.jp2)
  14. 第3章 集束イオンビームによるスパッタリング加工特性 / p66 (0038.jp2)
  15. 3.1 緒言 / p66 (0038.jp2)
  16. 3.2 各種材料のスパッタリング加工特性 / p66 (0038.jp2)
  17. 3.3 加工形状の走査方式依存性 / p78 (0044.jp2)
  18. 3.4 結言 / p96 (0053.jp2)
  19. 参考文献 / p97 (0053.jp2)
  20. 第4章 VLSI配線微細加工への応用 / p99 (0054.jp2)
  21. 4.1 緒言 / p99 (0054.jp2)
  22. 4.2 VLSI配線の集束イオンビームによる加工の提案 / p99 (0054.jp2)
  23. 4.3 VLSI配線加工の基本特性 / p103 (0056.jp2)
  24. 4.4 デバイスへの応用 / p112 (0061.jp2)
  25. 4.5 結言 / p116 (0063.jp2)
  26. 参考文献 / p118 (0064.jp2)
  27. 第5章 ナノメータ・イオンビーム加工装置の開発 / p119 (0064.jp2)
  28. 5.1 緒言 / p119 (0064.jp2)
  29. 5.2 ナノメータ・イオンビーム加工装置の方式 / p119 (0064.jp2)
  30. 5.3 2段レンズ・イオンビーム光学系 / p124 (0067.jp2)
  31. 5.4 光デバイス加工への応用 / p150 (0080.jp2)
  32. 5.5 結言 / p163 (0086.jp2)
  33. 参考文献 / p165 (0087.jp2)
  34. 第6章 結論 / p166 (0088.jp2)
  35. 謝辞 / p168 (0089.jp2)
  36. 研究業績 / p169 (0089.jp2)
  37. 1.研究論文 / p169 (0089.jp2)
  38. 2.学術講演 / p169 (0089.jp2)
  39. 3.研究の紹介・解説 / p171 (0090.jp2)
  40. 4.取得特許 / p171 (0090.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000084502
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000084714
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000248816
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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