イオン注入によるGaAs超高速トランジスタの能動層および分離層形成に関する研究

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著者

    • 山崎, 肇 ヤマザキ, ハジメ

書誌事項

タイトル

イオン注入によるGaAs超高速トランジスタの能動層および分離層形成に関する研究

著者名

山崎, 肇

著者別名

ヤマザキ, ハジメ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5691号

学位授与年月日

1992-03-18

注記・抄録

博士論文

10104

博士(工学)

1992-03-18

大阪大学

14401乙第05691号

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 1章.序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 背景と目的 / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 概要 / p3 (0006.jp2)
  5. 2章.GaAs MESFETとイオン注入 / p4 (0007.jp2)
  6. 2.1 はじめに / p4 (0007.jp2)
  7. 2.2 GaAs MESFETの動作原理 / p4 (0007.jp2)
  8. 2.3 イオン注入とMESFET動作特性の改善 / p8 (0009.jp2)
  9. 2.4 まとめ / p9 (0009.jp2)
  10. 3章.イオン注入装置の改良とイオン注入特性の評価 / p10 (0010.jp2)
  11. 3.1 はじめに / p10 (0010.jp2)
  12. 3.2 イオン注入装置の改良 / p10 (0010.jp2)
  13. 3.3 特性評価用試料製作 / p15 (0012.jp2)
  14. 3.4 評価方法 / p20 (0015.jp2)
  15. 3.5 平行スキャン注入によるウエハ面内均一性の改善 / p23 (0016.jp2)
  16. 3.6 まとめ / p30 (0020.jp2)
  17. 4章.GaAs MESFET用能動層の均一化および高濃度薄層化 / p31 (0020.jp2)
  18. 4.1 はじめに / p31 (0020.jp2)
  19. 4.2 半絶縁性GaAsにおけるSiイオン注入層の電気的特性 / p31 (0020.jp2)
  20. 4.3 半絶縁性GaAs結晶中の残留不純物、転位の影響 / p40 (0025.jp2)
  21. 4.4 電気特性均一化へのプロセス技術の改善 / p52 (0031.jp2)
  22. 4.5 能動層の高濃度薄層化 / p57 (0033.jp2)
  23. 4.6 まとめ / p66 (0038.jp2)
  24. 5章.GaAs MESFET LSIへのイオン注入技術の応用 / p67 (0038.jp2)
  25. 5.1 はじめに / p67 (0038.jp2)
  26. 5.2 BP-SAINT FETへのイオン注入技術の応用 / p69 (0039.jp2)
  27. 5.3 まとめ / p75 (0042.jp2)
  28. 6章.GaAs HBT用分離層の形成 / p76 (0043.jp2)
  29. 6.1 はじめに / p76 (0043.jp2)
  30. 6.2 酸素イオンの取出し法 / p77 (0043.jp2)
  31. 6.3 高抵抗分離特性実験方法 / p82 (0046.jp2)
  32. 6.4 酸素イオン注入 / p84 (0047.jp2)
  33. 6.5 GaAsHBTへの酸素イオン注入の応用 / p94 (0052.jp2)
  34. 6.6 まとめ / p105 (0057.jp2)
  35. 7章.総括 / p106 (0058.jp2)
  36. 7.1 各章のまとめ / p106 (0058.jp2)
  37. 7.2 今後の注入技術の展望と課題 / p110 (0060.jp2)
  38. 参考文献 / p111 (0060.jp2)
  39. 謝辞 / p120 (0065.jp2)
  40. 研究業績リスト / p122 (0066.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000084541
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000084753
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000248855
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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