プローブによるプロセス用反応性ガスプラズマの測定に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
プローブによるプロセス用反応性ガスプラズマの測定に関する研究
- 著者名
-
水村, 通伸
- 著者別名
-
ミズムラ, ミチノブ
- 学位授与大学
-
武蔵工業大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第26号
- 学位授与年月日
-
1992-03-19
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0002.jp2)
- 論文要旨(和文) / (0003.jp2)
- 目次 / c1 / (0014.jp2)
- 本論文で使用した記号の一覧表 / s1 / (0017.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0020.jp2)
- §1-1 プロセス用反応性ガスプラズマのプローブ測定に関する研究経緯 / p1 (0020.jp2)
- §1-2 プローブ汚染と高周波電解による電流-電圧特性の歪み防止技術 / p5 (0024.jp2)
- §1-3 本研究の目的 / p7 (0026.jp2)
- §1-4 本論文の構成 / p8 (0027.jp2)
- 参考文献 / p10 (0029.jp2)
- 第2章 直流放電反応性ガスプラズマのプローブ測定 / p19 (0038.jp2)
- §2-1 序言 / p19 (0038.jp2)
- §2-2 測定における問題点とその解決法 / p19 (0038.jp2)
- §2-3 イオン衝撃高速サンプリングプローブ測定システムによる測定 / p22 (0041.jp2)
- §2-4 結語 / p23 (0042.jp2)
- 参考文献 / p24 (0043.jp2)
- 第3章 プローブによるプラズマ空間電位およびシース電位分布の測定 / p41 (0060.jp2)
- §3-1 序言 / p41 (0060.jp2)
- §3-2 レーザー加熱型エミッシブプローブ法による測定 / p41 (0060.jp2)
- §3-3 電極シース領域への適用 / p43 (0062.jp2)
- §3-4 高周波放電プラズマへの適用 / p44 (0063.jp2)
- §3-5 高周波放電電極シース領域への適用 / p47 (0066.jp2)
- §3-6 結言 / p48 (0067.jp2)
- 参考文献 / p50 (0069.jp2)
- 第4章 高周波放電プラズマのプローブ測定 / p75 (0094.jp2)
- §4-1 序言 / p75 (0094.jp2)
- §4-2 高周波放電プラズマ中におけるシングルプローブ法 / p75 (0094.jp2)
- §4-3 高周波放電プラズマへの適用 / p78 (0097.jp2)
- §4-4 結言 / p78 (0097.jp2)
- 参考文献 / p80 (0099.jp2)
- 第5章 反応性ガスプラズマによるプローブ表面汚染の定量化と清浄法 / p94 (0113.jp2)
- §5-1 序言 / p94 (0113.jp2)
- §5-2 プローブの清浄度と測定の信頼性の検討 / p94 (0113.jp2)
- §5-3 清浄度によるプローブ清浄化法の評価 / p98 (0117.jp2)
- §5-4 結語 / p99 (0118.jp2)
- 参考文献 / p100 (0119.jp2)
- 第6章 結論 / p113 (0132.jp2)
- §6-1 本研究で得られた成果 / p113 (0132.jp2)
- §6-2 今後の課題 / p115 (0134.jp2)
- 謝辞 / p116 (0135.jp2)
- 本研究に関する発表論文 / p117 (0136.jp2)
- 付録 高周波放電プラズマ用フィラメント型エミッシブプローブ / AP1-1 / (0138.jp2)
- 付録 エミッシブプローブの正弦波応答(シミュレーション) / AP2-1 / (0141.jp2)
- 付録 プラズマ空間電位補償型と自己補償型シングルプローブとの比較 / AP3-1 / (0160.jp2)
- SPACE POTENTIAL COMPENSATION USING A LASER HEATED EMISSIVE PROBE FOR SINGLE PROBE MEASUREMENT IN RF DISCHARGE PLASMAS / p129 (0165.jp2)
- (i) Probe system with bias compensation using a laser heated emissive probe for RF discharge plasma diagnostics / (0169.jp2)