分子層エピタキシーの成長機構の研究

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著者

    • 櫻庭, 弘 サクラバ, ヒロシ

書誌事項

タイトル

分子層エピタキシーの成長機構の研究

著者名

櫻庭, 弘

著者別名

サクラバ, ヒロシ

学位授与大学

東北大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第4615号

学位授与年月日

1992-03-27

注記・抄録

博士論文

Tohoku University

博士

工学

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 緒論 / p1 (0004.jp2)
  3. 第1節 分子層エピタキシー / p1 (0004.jp2)
  4. 第2節 分子層エピタキシーの原理 / p1 (0004.jp2)
  5. 第3節 気相成長における表面反応機構の研究の現状 / p3 (0005.jp2)
  6. 第4節 本論文の目的と内容 / p4 (0005.jp2)
  7. 第2章 実験装置 / p6 (0006.jp2)
  8. 第1節 実験装置概略 / p6 (0006.jp2)
  9. 第2節 質量分析法における液体窒素シュラウドの効果 / p8 (0007.jp2)
  10. 第3節 マスクの効果 / p9 (0008.jp2)
  11. 第3章 GaAs基板上でのTMGの吸着と表面反応 / p10 (0008.jp2)
  12. 第1節 (100)面での吸着と表面反応 / p10 (0008.jp2)
  13. 第1項 典型的なスペクトルとその解析法 / p10 (0008.jp2)
  14. 第2項 定常状態における反応の解析 / p19 (0013.jp2)
  15. 第3項 (100)露出初期 / p21 (0014.jp2)
  16. 第4項 (100)露出初期における反応と定常状態における反応の分離 / p25 (0016.jp2)
  17. 第5項 (100)面上での反応のまとめ / p37 (0022.jp2)
  18. 第2節 (111)B面上での吸着と表面反応 / p40 (0023.jp2)
  19. 第1項 典型的なスペクトルとその解析法 / p40 (0023.jp2)
  20. 第2項 露出初期と定常状態でのシグナルの解析 / p44 (0025.jp2)
  21. 第3節 (111)A面上での吸着と表面反応 / p48 (0027.jp2)
  22. 第4節 面方位依存性からの考察 / p50 (0028.jp2)
  23. 第4章 低温におけるGaAs基板上でのTMGの分解を伴わない吸着 / p51 (0029.jp2)
  24. 第1節 典型的なスペクトルとその解析 / p51 (0029.jp2)
  25. 第2節 表面処理による違いと面方位依存性 / p53 (0030.jp2)
  26. 第5章 結論 / p55 (0031.jp2)
  27. 謝辞 / p57 (0032.jp2)
  28. 参考文献 / p58 (0032.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000085003
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000085216
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000249317
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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