シラン・ガスソースMBE法に関する研究

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著者

    • 廣瀬, 文彦 ヒロセ, フミヒコ

書誌事項

タイトル

シラン・ガスソースMBE法に関する研究

著者名

廣瀬, 文彦

著者別名

ヒロセ, フミヒコ

学位授与大学

東北大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第4619号

学位授与年月日

1992-03-27

注記・抄録

博士論文

目次

  1. もくじ / (0003.jp2)
  2. 1章 序論 / p1 (0003.jp2)
  3. 2章 成長装置作成および結晶表面観察 / p7 (0006.jp2)
  4. 2-1 実験装置概要 / p7 (0006.jp2)
  5. 2-2 アルミニウム合金製チャンバー / p11 (0008.jp2)
  6. 2-3 試料ホルダーと加熱システム / p11 (0008.jp2)
  7. 2-4 シラン分子線源 / p14 (0010.jp2)
  8. 2-5 XeVUV光源 / p20 (0013.jp2)
  9. 2-6 反射高速電子線回折による結晶性観察 / p25 (0015.jp2)
  10. 2-7 選択成長による膜厚測定法 / p25 (0015.jp2)
  11. 2-8 昇温脱離法 / p29 (0017.jp2)
  12. 3章 シランGSMBE / p35 (0020.jp2)
  13. 3-1 シランGSMBEの概要 / p35 (0020.jp2)
  14. 3-2 成長手順 / p37 (0021.jp2)
  15. 3-3 低温エピタキシー / p43 (0024.jp2)
  16. 3-4 低温選択成長 / p50 (0028.jp2)
  17. 4章 シランGSMBEの成長機構 / p54 (0030.jp2)
  18. 4-1 Si(100)成長速度の基板温度依存性 / p54 (0030.jp2)
  19. 4-2 シランGSMBEにおける水素被覆率の変化 / p64 (0035.jp2)
  20. 4-3 (100)と(111)との違い / p69 (0037.jp2)
  21. 5章 シランGSMBEにおける成長化学反応機構 / p78 (0042.jp2)
  22. 5-1 シラン飽和吸着Si(lOO)表面 / p78 (0042.jp2)
  23. 5-2 シランのシリコン表面への飽和吸着機構 / p89 (0047.jp2)
  24. 5-3 シラン吸着Si(100)表面からの水素脱離機構 / p95 (0050.jp2)
  25. 5-4 成長化学反応モデルの構築 / p99 (0052.jp2)
  26. 5-5 Si(111)表面上シラン吸着 / p110 (0058.jp2)
  27. 5-6 真空紫外光照射による成長素反応励起 / p116 (0061.jp2)
  28. 6章 シランを用いた原子層エピタキシー / p123 (0064.jp2)
  29. 7章 結論 / p134 (0070.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000085007
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000085220
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000249321
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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