シラン・ガスソースMBE法に関する研究
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Bibliographic Information
- Title
-
シラン・ガスソースMBE法に関する研究
- Author
-
廣瀬, 文彦
- Author(Another name)
-
ヒロセ, フミヒコ
- University
-
東北大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
甲第4619号
- Degree year
-
1992-03-27
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- もくじ / (0003.jp2)
- 1章 序論 / p1 (0003.jp2)
- 2章 成長装置作成および結晶表面観察 / p7 (0006.jp2)
- 2-1 実験装置概要 / p7 (0006.jp2)
- 2-2 アルミニウム合金製チャンバー / p11 (0008.jp2)
- 2-3 試料ホルダーと加熱システム / p11 (0008.jp2)
- 2-4 シラン分子線源 / p14 (0010.jp2)
- 2-5 XeVUV光源 / p20 (0013.jp2)
- 2-6 反射高速電子線回折による結晶性観察 / p25 (0015.jp2)
- 2-7 選択成長による膜厚測定法 / p25 (0015.jp2)
- 2-8 昇温脱離法 / p29 (0017.jp2)
- 3章 シランGSMBE / p35 (0020.jp2)
- 3-1 シランGSMBEの概要 / p35 (0020.jp2)
- 3-2 成長手順 / p37 (0021.jp2)
- 3-3 低温エピタキシー / p43 (0024.jp2)
- 3-4 低温選択成長 / p50 (0028.jp2)
- 4章 シランGSMBEの成長機構 / p54 (0030.jp2)
- 4-1 Si(100)成長速度の基板温度依存性 / p54 (0030.jp2)
- 4-2 シランGSMBEにおける水素被覆率の変化 / p64 (0035.jp2)
- 4-3 (100)と(111)との違い / p69 (0037.jp2)
- 5章 シランGSMBEにおける成長化学反応機構 / p78 (0042.jp2)
- 5-1 シラン飽和吸着Si(lOO)表面 / p78 (0042.jp2)
- 5-2 シランのシリコン表面への飽和吸着機構 / p89 (0047.jp2)
- 5-3 シラン吸着Si(100)表面からの水素脱離機構 / p95 (0050.jp2)
- 5-4 成長化学反応モデルの構築 / p99 (0052.jp2)
- 5-5 Si(111)表面上シラン吸着 / p110 (0058.jp2)
- 5-6 真空紫外光照射による成長素反応励起 / p116 (0061.jp2)
- 6章 シランを用いた原子層エピタキシー / p123 (0064.jp2)
- 7章 結論 / p134 (0070.jp2)