Ga[1-x]Al[x]A[s]結晶の深い準位に関する研究

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著者

    • 本澤, 光威 モトザワ, ミツタケ

書誌事項

タイトル

Ga[1-x]Al[x]A[s]結晶の深い準位に関する研究

著者名

本澤, 光威

著者別名

モトザワ, ミツタケ

学位授与大学

東北大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第4621号

学位授与年月日

1992-03-27

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 第1章の参考文献 / p3 (0005.jp2)
  4. 第2章 [化学式]結晶の深い準位とその光容量法による解析 / p4 (0005.jp2)
  5. 2.1 [化学式]結晶の深い準位 / p4 (0005.jp2)
  6. 2.2 光容量(PHCAP)法による深い準位の解析 / p8 (0007.jp2)
  7. 第2章の参考文献 / p14 (0010.jp2)
  8. 第3章 [化学式]の蒸気圧制御温度差液相法による結晶成長 / p15 (0011.jp2)
  9. 3.1 はじめに / p15 (0011.jp2)
  10. 3.2 蒸気圧制御温度差液相法の原理 / p16 (0011.jp2)
  11. 3.3 成長方法 / p19 (0013.jp2)
  12. 第3章の参考文献 / p23 (0015.jp2)
  13. 第4章 n型Ga₀.₉Al₀.₁Asの深い準位の測定 / p24 (0015.jp2)
  14. 4.0 はじめに / p24 (0015.jp2)
  15. 4.1 ダイオード構造による違い / p25 (0016.jp2)
  16. 4.2 主要な深い準位のエネルギー値について / p38 (0022.jp2)
  17. 4.3 深い準位の成長中メルトに印加したAs蒸気圧依存性 / p44 (0025.jp2)
  18. 4.4 成長後の熱処理の影響 / p49 (0028.jp2)
  19. 4.5 結論 / p55 (0031.jp2)
  20. 第4章の参考文献 / p56 (0031.jp2)
  21. 第5章 n型[化学式](0.31<x<0.41)の深い準位の測定 / p57 (0032.jp2)
  22. 5.0 はじめに / p57 (0032.jp2)
  23. 5.1 蒸気圧制御温度差液相法で成長した、故意には、不純物を添加しないn型[化学式](O.31<xく0.41)中のDXセンター / p58 (0032.jp2)
  24. 5.2 フォトクエンチング現象 / p75 (0041.jp2)
  25. 5.3 DX1とDX2の相互作用 / p92 (0049.jp2)
  26. 5.4 DX1とDX2準位の温度による変化 / p99 (0053.jp2)
  27. 5.5 考察 / p105 (0056.jp2)
  28. 5.6 結論 / p107 (0057.jp2)
  29. 第5章の参考文献 / p108 (0057.jp2)
  30. 第6章 結論 / p109 (0058.jp2)
  31. 謝辞 / (0058.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000085009
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000085222
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000249323
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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