Theoretical and experimental study of recombination process at semiconductor surfaces and interfaces 半導体表面および界面における再結合過程の理論的および実験的研究

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著者

    • 齊藤, 俊也 サイトウ, トシヤ

書誌事項

タイトル

Theoretical and experimental study of recombination process at semiconductor surfaces and interfaces

タイトル別名

半導体表面および界面における再結合過程の理論的および実験的研究

著者名

齊藤, 俊也

著者別名

サイトウ, トシヤ

学位授与大学

北海道大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第3044号

学位授与年月日

1992-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. Contents / (0005.jp2)
  2. Chapter 1 Introduction / p1 (0010.jp2)
  3. 1.1 Motivation and Objective of the Present Paper / p1 (0010.jp2)
  4. 1.2 Synopsis of Each Chapter / p7 (0016.jp2)
  5. References / p10 (0019.jp2)
  6. Chapter 2 Previous Treatments of Surface and Interface Recombination Processes / p11 (0020.jp2)
  7. 2.1 Introduction / p11 (0020.jp2)
  8. 2.2 Surface Recombination Velocity / p12 (0021.jp2)
  9. References / p20 (0029.jp2)
  10. Chapter 3 Method of Rigorous Computer Simulation of Surface Recombination / p21 (0030.jp2)
  11. 3.1 Introduction / p21 (0030.jp2)
  12. 3.2 Actual Situation under Photo-excitation / p21 (0030.jp2)
  13. 3.3 Surface or Interface State Density / p24 (0033.jp2)
  14. 3.4 Boundary Condition at Surface / p25 (0034.jp2)
  15. 3.5 One Dimensional Analysis / p27 (0036.jp2)
  16. References / p39 (0048.jp2)
  17. Chapter 4 Behavior of Surface Recombination Velocity at SiO₂/Si Interface / p40 (0049.jp2)
  18. 4.1 Introduction / p40 (0049.jp2)
  19. 4.2 Properties of Surface Recombination Velocity / p40 (0049.jp2)
  20. 4.3 Method for Reducing Surface Recombination Velocity / p49 (0058.jp2)
  21. References / p59 (0068.jp2)
  22. Chapter 5 Measurement of Surface Recombination Velocity / p60 (0069.jp2)
  23. 5.1 Introduction / p60 (0069.jp2)
  24. 5.2 MOS Method / p60 (0069.jp2)
  25. 5.3 Time-domain Photo-decay Method / p64 (0073.jp2)
  26. 5.4 Frequency Modulated Photo-current Method / p70 (0079.jp2)
  27. 5.5 Band-edge Photoluminescence Intensity / p74 (0083.jp2)
  28. References / p86 (0095.jp2)
  29. Chapter6 Recombination at Compound Semiconductor Surfaces and Interfaces / p87 (0096.jp2)
  30. 6.1 Introduction / p87 (0096.jp2)
  31. 6.2 Photoluminescence Intensity and Effective Surface Recombination Velocity at GaAs Surface / p87 (0096.jp2)
  32. 6.3 Effect of Surface Treatments / p89 (0098.jp2)
  33. References / p103 (0112.jp2)
  34. Chapter 7 Surface State Spectroscopy by Photoluminescence / p104 (0113.jp2)
  35. 7.1 Introduction / p104 (0113.jp2)
  36. 7.2 Principle of Surface State Spectroscopy / p105 (0114.jp2)
  37. 7.3 Theoretical Analysis / p110 (0119.jp2)
  38. 7.3 Application to Experimental PL Data / p119 (0128.jp2)
  39. References / p131 (0140.jp2)
  40. Chapter 8 Summary and Conclusions / p132 (0141.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000085280
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000085494
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000249594
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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