X線マスクメンブレン用アモルファスB-N膜及びB-N-C膜の作製と評価

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著者

    • 榊原, 正彦 サカキハラ, マサヒコ

書誌事項

タイトル

X線マスクメンブレン用アモルファスB-N膜及びB-N-C膜の作製と評価

著者名

榊原, 正彦

著者別名

サカキハラ, マサヒコ

学位授与大学

長岡技術科学大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第61号

学位授与年月日

1992-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0002.jp2)
  2. 第1章 緒論 / p1 (0006.jp2)
  3. 第1節 緒言-集積回路と露光技術- / p1 (0006.jp2)
  4. 第2節 本研究の目的と概要 / p6 (0011.jp2)
  5. 第2章 X線リソグラフィ技術とX線マスクメンブレン / p9 (0015.jp2)
  6. 第1節 緒言 / p9 (0015.jp2)
  7. 第2節 X線リソグラフィの原理と特徴 / p10 (0016.jp2)
  8. 第3節 X線リソグラフィ用マスクメンブレン / p17 (0023.jp2)
  9. 第4節 X線マスクメンブレンの作製方法と評価方法 / p20 (0026.jp2)
  10. 第3章 a-BN膜の作製条件とメンブレン特性 / p24 (0031.jp2)
  11. 第1節 緒言 / p24 (0031.jp2)
  12. 第2節 実験方法 / p25 (0032.jp2)
  13. 3-2-1 減圧CVD装置および成膜条件 / p25 (0032.jp2)
  14. 3-2-2 膜の特性評価方法 / p25 (0032.jp2)
  15. 3-2-3 S0R照射による評価 / p29 (0036.jp2)
  16. 第3節 実験結果および考察 / p31 (0038.jp2)
  17. 3-3-1 成膜条件と特性 / p31 (0038.jp2)
  18. 3-3-2 S0R照射による評価 / p35 (0042.jp2)
  19. 第4節 結言 / p37 (0044.jp2)
  20. 第4章 a-BNC膜の作製条件とメンブレン特性 / p39 (0047.jp2)
  21. 第1節 緒言 / p39 (0047.jp2)
  22. 第2節 実験方法 / p40 (0048.jp2)
  23. 4-2-1 成膜条件 / p40 (0048.jp2)
  24. 4-2-2 膜の特性評価方法 / p41 (0049.jp2)
  25. 第3節 実験結果および考察 / p42 (0050.jp2)
  26. 4-3-1 成膜温度と特性 / p42 (0050.jp2)
  27. 4-3-2 反応ガス流量比と特性 / p42 (0050.jp2)
  28. 4-3-3 反応圧力と特性 / p46 (0054.jp2)
  29. 4-3-4 組成と特性 / p50 (0058.jp2)
  30. 4-3-5 a-BN膜とa-BNC膜との比較 / p50 (0058.jp2)
  31. 4-3-6 S0R照射による評価 / p54 (0062.jp2)
  32. 第4節 結言 / p56 (0064.jp2)
  33. 第5章 高温成膜したa-BNC膜のX線マスクメンブレンとしての評価 / p57 (0066.jp2)
  34. 第1節 緒言 / p57 (0066.jp2)
  35. 第2節 実験方法 / p58 (0067.jp2)
  36. 5-2-1 成膜条件 / p58 (0067.jp2)
  37. 5-2-2 膜の特性評価方法 / p58 (0067.jp2)
  38. 第3節 実験結果および考察 / p62 (0071.jp2)
  39. 5-3-1 高温成膜条件と特性 / p62 (0071.jp2)
  40. 5-3-2 組成と残留応力、光吸収係数の関係 / p66 (0075.jp2)
  41. 5-3-3 組成と熱膨脹係数の関係 / p66 (0075.jp2)
  42. 5-3-4 組成と真性応力の関係 / p71 (0080.jp2)
  43. 5-3-5 膜中水素量と真性応力の関係 / p75 (0084.jp2)
  44. 5-3-6 S0R照射による評価 / p78 (0087.jp2)
  45. 第4節 結言 / p86 (0095.jp2)
  46. 第6章 a-BN膜およびa-BNC膜の残留応力と膜中水素量 / p88 (0098.jp2)
  47. 第1節 緒言 / p88 (0098.jp2)
  48. 第2節 実験方法 / p89 (0099.jp2)
  49. 6-2-1 膜の作製および熱処理 / p89 (0099.jp2)
  50. 6-2-2 膜の評価 / p89 (0099.jp2)
  51. 第3節 実験結果および考察 / p92 (0102.jp2)
  52. 6-3-1 残留応力のアニールによる変化 / p92 (0102.jp2)
  53. 6-3-2 膜中水素量のアニールによる変化 / p92 (0102.jp2)
  54. 第4節 結言 / p102 (0112.jp2)
  55. 第7章 結論 / p104 (0115.jp2)
  56. 第1節 結果の概要 / p104 (0115.jp2)
  57. 第2節 今後の課題と将来の展望 / p107 (0118.jp2)
  58. 第3節 総合結論 / p109 (0120.jp2)
  59. 謝辞 / p111 (0123.jp2)
  60. 本研究に関連した論文 / p112 (0124.jp2)
  61. 本研究に関連した□答発表 / p114 (0126.jp2)
3アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000086113
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000086327
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000250427
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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