光音響分光法を用いたⅣ族半導体薄膜及び,α-AgI超イオン導電体の物性研究への応用について

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著者

    • 栗田, 満史 クリタ, ミツシ

書誌事項

タイトル

光音響分光法を用いたⅣ族半導体薄膜及び,α-AgI超イオン導電体の物性研究への応用について

著者名

栗田, 満史

著者別名

クリタ, ミツシ

学位授与大学

岡山理科大学

取得学位

理学博士

学位授与番号

乙第6号

学位授与年月日

1992-03-20

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p4 (0006.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0009.jp2)
  3. 1.1 本研究の背景 / p1 (0009.jp2)
  4. 1.2 本研究の目的と概要 / p4 (0012.jp2)
  5. 参考文献 / p6 (0014.jp2)
  6. 第2章 光音響分光法の原理・解析及び測定システム / p8 (0016.jp2)
  7. 2.1 マイクロホン法PASの原理・解析 / p8 (0016.jp2)
  8. 2.2 測定システムの概要 / p15 (0023.jp2)
  9. 参考文献 / p17 (0025.jp2)
  10. 第3章 反応性スパッタリングa-C:H膜の光学的性質におけるスパッタ圧依存性 / p18 (0026.jp2)
  11. 3.1 緒言 / p18 (0026.jp2)
  12. 3.2 PA信号と光吸収係数の関係 / p19 (0027.jp2)
  13. 3.3 反応性スパッタリング法で作製されたa-C:H膜 / p24 (0032.jp2)
  14. 3.4 a-C:H膜のPAスペクトル及び、物性定数の解釈 / p27 (0035.jp2)
  15. 3.5 結言 / p34 (0042.jp2)
  16. 参考文献 / p35 (0043.jp2)
  17. 第4章 高周波プラズマCVD法で作製されたa-SiC:H薄膜のバンドテイル / p37 (0045.jp2)
  18. 4.1 緒言 / p37 (0045.jp2)
  19. 4.2 PA測定 / p37 (0045.jp2)
  20. 4.3 高周波プラズマCVD法により作製されたa-SiC:H薄膜のPAスペクトル及び、物性定数 / p38 (0046.jp2)
  21. 4.4 高周波プラズマCVD法で作製されたa-SiC:H薄膜の成長過程 / p42 (0050.jp2)
  22. 4.5 結言 / p47 (0055.jp2)
  23. 参考文献 / p48 (0056.jp2)
  24. 第5章 α-AgI型超イオン導電体の光学ギャップ並びに、バンドテイルの温度依存性 / p49 (0057.jp2)
  25. 5.1 緒言 / p49 (0057.jp2)
  26. 5.2 高温用光音響(PA)セルの作製 / p50 (0058.jp2)
  27. 5.3 実験方法 / p52 (0060.jp2)
  28. 5.4 測定結果と考察 / p54 (0062.jp2)
  29. 5.5 結言 / p66 (0074.jp2)
  30. 参考文献 / p67 (0075.jp2)
  31. 第6章 α-AgⅠの露光に伴う光音響信号の経時変化 / p69 (0077.jp2)
  32. 6.1 緒言 / p69 (0077.jp2)
  33. 6.2 実験方法 / p70 (0078.jp2)
  34. 6.3 実験結果とその解釈 / p71 (0079.jp2)
  35. 6.4 結言 / p74 (0082.jp2)
  36. 参考文献 / p74 (0082.jp2)
  37. 第7章 結論 / p75 (0083.jp2)
  38. 謝辞 / p79 (0087.jp2)
  39. 付録 / (0088.jp2)
5アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000086178
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000086392
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000250492
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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