光音響分光法を用いたⅣ族半導体薄膜及び,α-AgI超イオン導電体の物性研究への応用について
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Bibliographic Information
- Title
-
光音響分光法を用いたⅣ族半導体薄膜及び,α-AgI超イオン導電体の物性研究への応用について
- Author
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栗田, 満史
- Author(Another name)
-
クリタ, ミツシ
- University
-
岡山理科大学
- Types of degree
-
理学博士
- Grant ID
-
乙第6号
- Degree year
-
1992-03-20
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 目次 / p4 (0006.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0009.jp2)
- 1.1 本研究の背景 / p1 (0009.jp2)
- 1.2 本研究の目的と概要 / p4 (0012.jp2)
- 参考文献 / p6 (0014.jp2)
- 第2章 光音響分光法の原理･解析及び測定システム / p8 (0016.jp2)
- 2.1 マイクロホン法PASの原理･解析 / p8 (0016.jp2)
- 2.2 測定システムの概要 / p15 (0023.jp2)
- 参考文献 / p17 (0025.jp2)
- 第3章 反応性スパッタリングa-C:H膜の光学的性質におけるスパッタ圧依存性 / p18 (0026.jp2)
- 3.1 緒言 / p18 (0026.jp2)
- 3.2 PA信号と光吸収係数の関係 / p19 (0027.jp2)
- 3.3 反応性スパッタリング法で作製されたa-C:H膜 / p24 (0032.jp2)
- 3.4 a-C:H膜のPAスペクトル及び､物性定数の解釈 / p27 (0035.jp2)
- 3.5 結言 / p34 (0042.jp2)
- 参考文献 / p35 (0043.jp2)
- 第4章 高周波プラズマCVD法で作製されたa-SiC:H薄膜のバンドテイル / p37 (0045.jp2)
- 4.1 緒言 / p37 (0045.jp2)
- 4.2 PA測定 / p37 (0045.jp2)
- 4.3 高周波プラズマCVD法により作製されたa-SiC:H薄膜のPAスペクトル及び､物性定数 / p38 (0046.jp2)
- 4.4 高周波プラズマCVD法で作製されたa-SiC:H薄膜の成長過程 / p42 (0050.jp2)
- 4.5 結言 / p47 (0055.jp2)
- 参考文献 / p48 (0056.jp2)
- 第5章 α-AgI型超イオン導電体の光学ギャップ並びに､バンドテイルの温度依存性 / p49 (0057.jp2)
- 5.1 緒言 / p49 (0057.jp2)
- 5.2 高温用光音響(PA)セルの作製 / p50 (0058.jp2)
- 5.3 実験方法 / p52 (0060.jp2)
- 5.4 測定結果と考察 / p54 (0062.jp2)
- 5.5 結言 / p66 (0074.jp2)
- 参考文献 / p67 (0075.jp2)
- 第6章 α-AgⅠの露光に伴う光音響信号の経時変化 / p69 (0077.jp2)
- 6.1 緒言 / p69 (0077.jp2)
- 6.2 実験方法 / p70 (0078.jp2)
- 6.3 実験結果とその解釈 / p71 (0079.jp2)
- 6.4 結言 / p74 (0082.jp2)
- 参考文献 / p74 (0082.jp2)
- 第7章 結論 / p75 (0083.jp2)
- 謝辞 / p79 (0087.jp2)
- 付録 / (0088.jp2)