XPSによる固体表面および界面の構造評価

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著者

    • 林, 司 ハヤシ, ツカサ

書誌事項

タイトル

XPSによる固体表面および界面の構造評価

著者名

林, 司

著者別名

ハヤシ, ツカサ

学位授与大学

広島大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第2249号

学位授与年月日

1992-03-16

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 梗概 / p1 (0005.jp2)
  2. 第一章 序論 / p6 (0008.jp2)
  3. §1.1 本研究の目的 / p6 (0008.jp2)
  4. §1.2 歴史的背景 / p8 (0009.jp2)
  5. 文献 / p11 (0010.jp2)
  6. 第二章 XPS応用に関する主要な理論 / p12 (0011.jp2)
  7. §2.1 緒言 / p12 (0011.jp2)
  8. §2.2 XPSの特徴 / p13 (0011.jp2)
  9. §2.3 表面・界面の構造評価 / p25 (0017.jp2)
  10. §2.4 ヘテロ接合における原子の拡散 / p33 (0021.jp2)
  11. §2.5 バンド不連続量の決定 / p36 (0023.jp2)
  12. 文献 / p38 (0024.jp2)
  13. 第三章 XPSデータ解析法 / p40 (0025.jp2)
  14. §3.1 緒言 / p40 (0025.jp2)
  15. §3.2 装置構成 / p41 (0025.jp2)
  16. §3.3 従来のデータ解析法 / p43 (0026.jp2)
  17. §3.4 標準スペクトルによるデータ解析法 / p57 (0033.jp2)
  18. §3.5 まとめ / p65 (0037.jp2)
  19. Appendix 主要プログラム構成 / p65 (0037.jp2)
  20. 文献 / p66 (0038.jp2)
  21. 第四章 ダイアモンド状炭素膜の構造評価 / p68 (0039.jp2)
  22. §4.1 緒言 / p68 (0039.jp2)
  23. §4.2 ホロカソード放電と平行平板放電により形成した薄膜の評価 / p69 (0039.jp2)
  24. §4.3 ダイアモンド状炭素膜形成時の水素の役割 / p76 (0043.jp2)
  25. §4.4 ダイアモンド状炭素薄膜形成時のガス添加効果 / p81 (0045.jp2)
  26. §4.5 まとめ / p85 (0047.jp2)
  27. Appendix 平行平板型ホロカソード放電法 / p86 (0048.jp2)
  28. 文献 / p89 (0049.jp2)
  29. 第五章 バンド不連続量の決定 / p90 (0050.jp2)
  30. §5.1 緒言 / p90 (0050.jp2)
  31. §5.2 SiO₂/Siヘテロ接合のバンド不連続量の決定 / p91 (0050.jp2)
  32. §5.3 a-SiN:H/a-Si:H系ヘテロ接合のバンド不連続量の決定 / p94 (0052.jp2)
  33. §5.4 a-SiC:H/a-Si:H系ヘテロ接合のバンド不連続量の決定 / p99 (0054.jp2)
  34. §5.5 a-SiC:H/a-SiN:H系ヘテロ接合のバンド不連続量の決定 / p106 (0058.jp2)
  35. §5.6 バンドエンジニアリングへの応用 / p110 (0060.jp2)
  36. §5.7 まとめ / p115 (0062.jp2)
  37. 文献 / p116 (0063.jp2)
  38. 第六章 SnO₂上の極薄プラズマ窒化a-Si:H層の不純物拡散バリア効果の評価 / p118 (0064.jp2)
  39. §6.1 緒言 / p118 (0064.jp2)
  40. §6.2 極薄バリア層の製作 / p119 (0064.jp2)
  41. §6.3 内殻スペクトルによる評価 / p119 (0064.jp2)
  42. §6.4 価電子帯スペクトルによる評価 / p122 (0066.jp2)
  43. §6.5 まとめ / p125 (0067.jp2)
  44. 文献 / p126 (0068.jp2)
  45. 第七章 Si0₂/Si表面・界面のミクロ構造評価 / p128 (0069.jp2)
  46. §7.1 緒言 / p128 (0069.jp2)
  47. §7.2 Si0₂表面層の評価 / p129 (0069.jp2)
  48. §7.3 Si酸化初期過程の評価 / p134 (0072.jp2)
  49. §7.4 SiO₂/Si界面層の評価 / p136 (0073.jp2)
  50. §7.5 0(1s)ピークシフトの新しい解釈 / p138 (0074.jp2)
  51. §7.6 まとめ / p141 (0075.jp2)
  52. 文献 / p141 (0075.jp2)
  53. 第八章 Si光化学エッチング表面状態の評価 / p143 (0076.jp2)
  54. §8.1 緒言 / p143 (0076.jp2)
  55. §8.2 エッチング反応表面の内殻スペクトルによる評価 / p145 (0077.jp2)
  56. §8.3 エッチング反応表面のプラズモン損失スペクトルによる評価 / p149 (0079.jp2)
  57. §8.4 エッチング反応表面の価電子帯スペクトルによる評価 / p151 (0080.jp2)
  58. §8.5 まとめ / p155 (0082.jp2)
  59. 文献 / p155 (0082.jp2)
  60. 今後の課題 ・ 将来展望 / p156 (0083.jp2)
  61. 結論 / p159 (0084.jp2)
  62. 謝辞 / p163 (0086.jp2)
  63. 本研究に関する発表論文リスト / p164 (0087.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000086573
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000086787
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000250887
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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