XPSによる固体表面および界面の構造評価
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Bibliographic Information
- Title
-
XPSによる固体表面および界面の構造評価
- Author
-
林, 司
- Author(Another name)
-
ハヤシ, ツカサ
- University
-
広島大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第2249号
- Degree year
-
1992-03-16
Note and Description
博士論文
Table of Contents
- 梗概 / p1 (0005.jp2)
- 第一章 序論 / p6 (0008.jp2)
- §1.1 本研究の目的 / p6 (0008.jp2)
- §1.2 歴史的背景 / p8 (0009.jp2)
- 文献 / p11 (0010.jp2)
- 第二章 XPS応用に関する主要な理論 / p12 (0011.jp2)
- §2.1 緒言 / p12 (0011.jp2)
- §2.2 XPSの特徴 / p13 (0011.jp2)
- §2.3 表面・界面の構造評価 / p25 (0017.jp2)
- §2.4 ヘテロ接合における原子の拡散 / p33 (0021.jp2)
- §2.5 バンド不連続量の決定 / p36 (0023.jp2)
- 文献 / p38 (0024.jp2)
- 第三章 XPSデータ解析法 / p40 (0025.jp2)
- §3.1 緒言 / p40 (0025.jp2)
- §3.2 装置構成 / p41 (0025.jp2)
- §3.3 従来のデータ解析法 / p43 (0026.jp2)
- §3.4 標準スペクトルによるデータ解析法 / p57 (0033.jp2)
- §3.5 まとめ / p65 (0037.jp2)
- Appendix 主要プログラム構成 / p65 (0037.jp2)
- 文献 / p66 (0038.jp2)
- 第四章 ダイアモンド状炭素膜の構造評価 / p68 (0039.jp2)
- §4.1 緒言 / p68 (0039.jp2)
- §4.2 ホロカソード放電と平行平板放電により形成した薄膜の評価 / p69 (0039.jp2)
- §4.3 ダイアモンド状炭素膜形成時の水素の役割 / p76 (0043.jp2)
- §4.4 ダイアモンド状炭素薄膜形成時のガス添加効果 / p81 (0045.jp2)
- §4.5 まとめ / p85 (0047.jp2)
- Appendix 平行平板型ホロカソード放電法 / p86 (0048.jp2)
- 文献 / p89 (0049.jp2)
- 第五章 バンド不連続量の決定 / p90 (0050.jp2)
- §5.1 緒言 / p90 (0050.jp2)
- §5.2 SiO₂/Siヘテロ接合のバンド不連続量の決定 / p91 (0050.jp2)
- §5.3 a-SiN:H/a-Si:H系ヘテロ接合のバンド不連続量の決定 / p94 (0052.jp2)
- §5.4 a-SiC:H/a-Si:H系ヘテロ接合のバンド不連続量の決定 / p99 (0054.jp2)
- §5.5 a-SiC:H/a-SiN:H系ヘテロ接合のバンド不連続量の決定 / p106 (0058.jp2)
- §5.6 バンドエンジニアリングへの応用 / p110 (0060.jp2)
- §5.7 まとめ / p115 (0062.jp2)
- 文献 / p116 (0063.jp2)
- 第六章 SnO₂上の極薄プラズマ窒化a-Si:H層の不純物拡散バリア効果の評価 / p118 (0064.jp2)
- §6.1 緒言 / p118 (0064.jp2)
- §6.2 極薄バリア層の製作 / p119 (0064.jp2)
- §6.3 内殻スペクトルによる評価 / p119 (0064.jp2)
- §6.4 価電子帯スペクトルによる評価 / p122 (0066.jp2)
- §6.5 まとめ / p125 (0067.jp2)
- 文献 / p126 (0068.jp2)
- 第七章 Si0₂/Si表面・界面のミクロ構造評価 / p128 (0069.jp2)
- §7.1 緒言 / p128 (0069.jp2)
- §7.2 Si0₂表面層の評価 / p129 (0069.jp2)
- §7.3 Si酸化初期過程の評価 / p134 (0072.jp2)
- §7.4 SiO₂/Si界面層の評価 / p136 (0073.jp2)
- §7.5 0(1s)ピークシフトの新しい解釈 / p138 (0074.jp2)
- §7.6 まとめ / p141 (0075.jp2)
- 文献 / p141 (0075.jp2)
- 第八章 Si光化学エッチング表面状態の評価 / p143 (0076.jp2)
- §8.1 緒言 / p143 (0076.jp2)
- §8.2 エッチング反応表面の内殻スペクトルによる評価 / p145 (0077.jp2)
- §8.3 エッチング反応表面のプラズモン損失スペクトルによる評価 / p149 (0079.jp2)
- §8.4 エッチング反応表面の価電子帯スペクトルによる評価 / p151 (0080.jp2)
- §8.5 まとめ / p155 (0082.jp2)
- 文献 / p155 (0082.jp2)
- 今後の課題 ・ 将来展望 / p156 (0083.jp2)
- 結論 / p159 (0084.jp2)
- 謝辞 / p163 (0086.jp2)
- 本研究に関する発表論文リスト / p164 (0087.jp2)