高分解トンネル分光による固体中の電子状態の研究
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著者
書誌事項
- タイトル
-
高分解トンネル分光による固体中の電子状態の研究
- 著者名
-
榎本, 博行
- 著者別名
-
エノモト, ヒロユキ
- 学位授与大学
-
早稲田大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第888号
- 学位授与年月日
-
1991-10-17
注記・抄録
博士論文
目次
- <目次> / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
- 1-1 はじめに / p2 (0007.jp2)
- 1-2 トンネル分光法 / p2 (0007.jp2)
- 1-3 走査型トンネル顕微鏡(STM) / p10 (0011.jp2)
- 1-4 本研究の目的と内容 / p12 (0012.jp2)
- 1-5 参考文献 / p14 (0013.jp2)
- 第2章 高階微分法によるSnTeのバンド端構造の測定 / p15 (0013.jp2)
- 2-1 はじめに / p16 (0014.jp2)
- 2-2 SnTeのバンド端構造 / p16 (0014.jp2)
- 2-3 SnTeの構造相転移 / p19 (0015.jp2)
- 2-4 トンネル分光法 / p20 (0016.jp2)
- 2-5 3階微分特性 / p24 (0018.jp2)
- 2-6 試料作成および試料評価 / p29 (0020.jp2)
- 2-7 面接触型トンネル接合形成 / p36 (0024.jp2)
- 2-8 トンネル測定方法 / p38 (0025.jp2)
- 2-9 測定結果および考察 / p45 (0028.jp2)
- 2-10 まとめ / p58 (0035.jp2)
- 2-11 参考文献 / p58 (0035.jp2)
- 第3章 高階微分法による酸化物超伝導体のエネルギーギャップ構造の測定 / p61 (0036.jp2)
- 3-1 はじめに / p62 (0037.jp2)
- 3-2 酸化物超伝導体の結晶構造および超伝導特性 / p63 (0037.jp2)
- 3-3 試料作成 / p76 (0044.jp2)
- 3-4 面接触型トンネル接合形成 / p77 (0044.jp2)
- 3-5 測定結果および考察 / p78 (0045.jp2)
- 3-6 まとめ / p94 (0053.jp2)
- 3-7 参考文献 / p94 (0053.jp2)
- 第4章 走査型トンネル顕微鏡による1T-TaS₂のCDWの観察 / p97 (0054.jp2)
- 4-1 はじめに / p98 (0055.jp2)
- 4-2 STMの原理 / p98 (0055.jp2)
- 4-3 電荷密度波(CDW) / p102 (0057.jp2)
- 4-4 試料作成および試料評価 / p107 (0059.jp2)
- 4-5 STM実験方法 / p110 (0061.jp2)
- 4-6 測定結果および考察 / p117 (0064.jp2)
- 4-7 まとめ / p126 (0069.jp2)
- 4-8 参考文献 / p126 (0069.jp2)
- 第5章 角度分解型トンネリングスペクトロスコピーによる1T-TaS₂のCDWギャップの異方性の観測 / p129 (0070.jp2)
- 5-1 はじめに / p130 (0071.jp2)
- 5-2 遷移金属ダイカルコゲナイド / p131 (0071.jp2)
- 5-3 電荷密度波(CDW) / p134 (0073.jp2)
- 5-4 角度分解型トンネリングスペクトロスコピー(ARTS) / p136 (0074.jp2)
- 5-5 ARTS測定方法 / p145 (0078.jp2)
- 5-6 測定結果および考察 / p152 (0082.jp2)
- 5-7 まとめ / p167 (0089.jp2)
- 5-8 参考文献 / p168 (0090.jp2)
- 第6章 角度分解型トンネリングスペクトロスコピーによるグラファイトのフェルミ面の異方性の観測 / p169 (0090.jp2)
- 6-1 はじめに / p170 (0091.jp2)
- 6-2 グラファイトの電子物性 / p170 (0091.jp2)
- 6-3 測定結果および考察 / p175 (0093.jp2)
- 6-4 まとめ / p187 (0099.jp2)
- 6-5 参考文献 / p187 (0099.jp2)
- 第7章 結論 / p189 (0100.jp2)
- 謝辞 / p195 (0103.jp2)
- 付録 / p199 (0105.jp2)
- A-1 酸化物超伝導体におけるトンネル特性 / p200 (0106.jp2)
- A-1-1 はじめに / p200 (0106.jp2)
- A-1-2 SIN蒸着型接合 / p200 (0106.jp2)
- A-1-3 2端子法 / p203 (0107.jp2)
- A-1-4 まとめ / p207 (0109.jp2)
- A-1-5 参考文献 / p207 (0109.jp2)
- A-2 シリコンにおけるARTS測定結果 / p208 (0110.jp2)
- A-2-1 はじめに / p208 (0110.jp2)
- A-2-2 モデル計算 / p208 (0110.jp2)
- A-2-3 実験方法 / p209 (0110.jp2)
- A-2-4 実験結果および考察 / p212 (0112.jp2)
- A-2-5 まとめ / p217 (0114.jp2)
- A-2-6 参考文献 / p217 (0114.jp2)
- 参考文献 / p219 (0115.jp2)
- 研究業績 / p229 (0120.jp2)