高分解トンネル分光による固体中の電子状態の研究

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著者

    • 榎本, 博行 エノモト, ヒロユキ

書誌事項

タイトル

高分解トンネル分光による固体中の電子状態の研究

著者名

榎本, 博行

著者別名

エノモト, ヒロユキ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第888号

学位授与年月日

1991-10-17

注記・抄録

博士論文

目次

  1. <目次> / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1-1 はじめに / p2 (0007.jp2)
  4. 1-2 トンネル分光法 / p2 (0007.jp2)
  5. 1-3 走査型トンネル顕微鏡(STM) / p10 (0011.jp2)
  6. 1-4 本研究の目的と内容 / p12 (0012.jp2)
  7. 1-5 参考文献 / p14 (0013.jp2)
  8. 第2章 高階微分法によるSnTeのバンド端構造の測定 / p15 (0013.jp2)
  9. 2-1 はじめに / p16 (0014.jp2)
  10. 2-2 SnTeのバンド端構造 / p16 (0014.jp2)
  11. 2-3 SnTeの構造相転移 / p19 (0015.jp2)
  12. 2-4 トンネル分光法 / p20 (0016.jp2)
  13. 2-5 3階微分特性 / p24 (0018.jp2)
  14. 2-6 試料作成および試料評価 / p29 (0020.jp2)
  15. 2-7 面接触型トンネル接合形成 / p36 (0024.jp2)
  16. 2-8 トンネル測定方法 / p38 (0025.jp2)
  17. 2-9 測定結果および考察 / p45 (0028.jp2)
  18. 2-10 まとめ / p58 (0035.jp2)
  19. 2-11 参考文献 / p58 (0035.jp2)
  20. 第3章 高階微分法による酸化物超伝導体のエネルギーギャップ構造の測定 / p61 (0036.jp2)
  21. 3-1 はじめに / p62 (0037.jp2)
  22. 3-2 酸化物超伝導体の結晶構造および超伝導特性 / p63 (0037.jp2)
  23. 3-3 試料作成 / p76 (0044.jp2)
  24. 3-4 面接触型トンネル接合形成 / p77 (0044.jp2)
  25. 3-5 測定結果および考察 / p78 (0045.jp2)
  26. 3-6 まとめ / p94 (0053.jp2)
  27. 3-7 参考文献 / p94 (0053.jp2)
  28. 第4章 走査型トンネル顕微鏡による1T-TaS₂のCDWの観察 / p97 (0054.jp2)
  29. 4-1 はじめに / p98 (0055.jp2)
  30. 4-2 STMの原理 / p98 (0055.jp2)
  31. 4-3 電荷密度波(CDW) / p102 (0057.jp2)
  32. 4-4 試料作成および試料評価 / p107 (0059.jp2)
  33. 4-5 STM実験方法 / p110 (0061.jp2)
  34. 4-6 測定結果および考察 / p117 (0064.jp2)
  35. 4-7 まとめ / p126 (0069.jp2)
  36. 4-8 参考文献 / p126 (0069.jp2)
  37. 第5章 角度分解型トンネリングスペクトロスコピーによる1T-TaS₂のCDWギャップの異方性の観測 / p129 (0070.jp2)
  38. 5-1 はじめに / p130 (0071.jp2)
  39. 5-2 遷移金属ダイカルコゲナイド / p131 (0071.jp2)
  40. 5-3 電荷密度波(CDW) / p134 (0073.jp2)
  41. 5-4 角度分解型トンネリングスペクトロスコピー(ARTS) / p136 (0074.jp2)
  42. 5-5 ARTS測定方法 / p145 (0078.jp2)
  43. 5-6 測定結果および考察 / p152 (0082.jp2)
  44. 5-7 まとめ / p167 (0089.jp2)
  45. 5-8 参考文献 / p168 (0090.jp2)
  46. 第6章 角度分解型トンネリングスペクトロスコピーによるグラファイトのフェルミ面の異方性の観測 / p169 (0090.jp2)
  47. 6-1 はじめに / p170 (0091.jp2)
  48. 6-2 グラファイトの電子物性 / p170 (0091.jp2)
  49. 6-3 測定結果および考察 / p175 (0093.jp2)
  50. 6-4 まとめ / p187 (0099.jp2)
  51. 6-5 参考文献 / p187 (0099.jp2)
  52. 第7章 結論 / p189 (0100.jp2)
  53. 謝辞 / p195 (0103.jp2)
  54. 付録 / p199 (0105.jp2)
  55. A-1 酸化物超伝導体におけるトンネル特性 / p200 (0106.jp2)
  56. A-1-1 はじめに / p200 (0106.jp2)
  57. A-1-2 SIN蒸着型接合 / p200 (0106.jp2)
  58. A-1-3 2端子法 / p203 (0107.jp2)
  59. A-1-4 まとめ / p207 (0109.jp2)
  60. A-1-5 参考文献 / p207 (0109.jp2)
  61. A-2 シリコンにおけるARTS測定結果 / p208 (0110.jp2)
  62. A-2-1 はじめに / p208 (0110.jp2)
  63. A-2-2 モデル計算 / p208 (0110.jp2)
  64. A-2-3 実験方法 / p209 (0110.jp2)
  65. A-2-4 実験結果および考察 / p212 (0112.jp2)
  66. A-2-5 まとめ / p217 (0114.jp2)
  67. A-2-6 参考文献 / p217 (0114.jp2)
  68. 参考文献 / p219 (0115.jp2)
  69. 研究業績 / p229 (0120.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000086583
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000086797
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000250897
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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