化学蒸着法によるホウ素薄膜および窒化チタン薄膜生成反応の速度論的研究 kagaku jochakuho ni yoru hoso hakumaku oyobi chikka chitan hakumaku seisei han'no no sokudoronteki kenkyu

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著者

    • 中西, 成彦 ナカニシ, ナルヒコ

書誌事項

タイトル

化学蒸着法によるホウ素薄膜および窒化チタン薄膜生成反応の速度論的研究

タイトル別名

kagaku jochakuho ni yoru hoso hakumaku oyobi chikka chitan hakumaku seisei han'no no sokudoronteki kenkyu

著者名

中西, 成彦

著者別名

ナカニシ, ナルヒコ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第899号

学位授与年月日

1992-02-06

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 本研究の目的 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 従来の研究 / p3 (0008.jp2)
  5. 1.3 本研究の解析手法 / p4 (0009.jp2)
  6. 参考文献 / p7 (0012.jp2)
  7. 第2章 CVD法によるホウ素薄膜生成の速度論的研究 / p8 (0013.jp2)
  8. I.CVD法によるモリブデン基板上でのホウ素薄膜生成の速度論的研究 / p8 (0013.jp2)
  9. II.CVD法によるタングステン基板上でのホウ素薄膜生成の速度論的研究 / p29 (0034.jp2)
  10. 参考文献 / p41 (0046.jp2)
  11. 第3章 CVD法によるTiN薄膜生成反応の速度論的研究 / p43 (0048.jp2)
  12. 3.1 緒言 / p43 (0048.jp2)
  13. 3.2 実験方法および結果 / p43 (0048.jp2)
  14. 3.3 考察 / p54 (0059.jp2)
  15. 3.4 結言 / p64 (0069.jp2)
  16. 参考文献 / p67 (0072.jp2)
  17. 第4章 TiN上へのH₂,N₂,TiCl₄の化学吸着平衡 / p68 (0073.jp2)
  18. 4.1 緒言 / p68 (0073.jp2)
  19. 4.2 実験方法 / p69 (0074.jp2)
  20. 4.3 実験結果および考察 / p77 (0082.jp2)
  21. 4.4 結言 / p92 (0097.jp2)
  22. 参考文献 / p92 (0097.jp2)
  23. 第5章 光励起CVD法によるTiN薄膜生成の反応過程に関する研究 / p93 (0098.jp2)
  24. 5.1 緒言 / p93 (0098.jp2)
  25. 5.2 実験方法 / p93 (0098.jp2)
  26. 5.3 実験結果 / p98 (0103.jp2)
  27. 5.4 考察 / p102 (0107.jp2)
  28. 5.5 結言 / p104 (0109.jp2)
  29. 参考文献 / p105 (0110.jp2)
  30. 第6章 総括 / p106 (0111.jp2)
  31. 謝辞 / p109 (0114.jp2)
  32. 研究業績 / p110 (0115.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000086594
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000086808
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000250908
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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