半導体光導波路とモノリシック光集積回路への応用に関する研究 handotai hikari doharo to monorishikku hikari sh?seki kairo eno oyo ni kansuru kenkyu

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著者

    • 竹内, 博昭 タケウチ, ヒロアキ

書誌事項

タイトル

半導体光導波路とモノリシック光集積回路への応用に関する研究

タイトル別名

handotai hikari doharo to monorishikku hikari sh?seki kairo eno oyo ni kansuru kenkyu

著者名

竹内, 博昭

著者別名

タケウチ, ヒロアキ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第849号

学位授与年月日

1991-10-17

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1-1 光集積回路の概要と本研究の位置付け / p1 (0006.jp2)
  4. 1-2 モノリシック光-光集積回路の必要性 / p2 (0007.jp2)
  5. 1-3 モノリシック光-光集積回路研究の経緯 / p3 (0007.jp2)
  6. 1-4 本論文の構成 / p5 (0008.jp2)
  7. 第1章 参考文献 / p7 (0009.jp2)
  8. 第2章 光導波路の基本的検討 / p10 (0011.jp2)
  9. 2-1 光導波路の概説 / p10 (0011.jp2)
  10. 2-2 ステップ形二次元光導波路の導波モード分散 / p12 (0012.jp2)
  11. 2-3 ステップ形三次元光導波路の導波モード解析 / p18 (0015.jp2)
  12. 第2章 参考文献 / p21 (0016.jp2)
  13. 第3章 半導体光導波路に関する基本的検討 / p22 (0017.jp2)
  14. 3-1 半導体光導波路の概説 / p22 (0017.jp2)
  15. 3-2 III-V族化合物半導体ヘテロ接合型光導波路の一般論 / p23 (0017.jp2)
  16. 3-3 III-V族化合物半導体光導波路研究の必要性 / p24 (0018.jp2)
  17. 第3章 参考文献 / p28 (0020.jp2)
  18. 第4章 GaAs/AlGaAsヘテロ接合型光導波路の低損失化 / p29 (0020.jp2)
  19. 4-1 はじめに / p29 (0020.jp2)
  20. 4-2 GaAs系光導波路研究の歴史的背景 / p30 (0021.jp2)
  21. 4-3 GaAs/AlGaAsヘテロ接合型光導波路の基本構成 / p32 (0022.jp2)
  22. 4-4 AlGaAs混晶の屈折率 / p33 (0022.jp2)
  23. 4-5 ストリップ装荷型GaAs/AlGaAs光導波路の構造パラメータ依存性 / p33 (0022.jp2)
  24. 4-6 ストリップ装荷型GaAs/AlGaAs微細光導波路の低損失化とその導波特性 / p50 (0031.jp2)
  25. 4-7 リッジ型GaAs/AlGaAs光導波路の曲線光導波路への応用 / p65 (0038.jp2)
  26. 4-8 まとめ / p72 (0042.jp2)
  27. 第4章 参考文献 / p73 (0042.jp2)
  28. 第5章 InGaAsP/InPへテロ接合型光導波路の低損失化と電気光学効果を用いた光制御デバイスへの応用 / p76 (0044.jp2)
  29. 5-1 はじめに / p76 (0044.jp2)
  30. 5-2 InGaAsP4元混晶の特徴 / p77 (0044.jp2)
  31. 5-3 ストリップ装荷型InGaAsP/InP光導波路の低損失化 / p79 (0045.jp2)
  32. 5-4 III-V族化合物半導体光導波路の電気光学効果による導波光制御の一般論 / p80 (0046.jp2)
  33. 5-5 III-V族化合物半導体(100)基板上の光導波路における電気光学効果による屈折率変化 / p88 (0050.jp2)
  34. 5-6 InGaAsP/InPダブルヘテロ接合をもつpinスラブ光導波路の伝搬損失 / p93 (0052.jp2)
  35. 5-7 InGaAsP/InPダブルヘテロ接合をもつpinスラブ光導波路の電界分布 / p107 (0059.jp2)
  36. 5-8 InGaAsP/InPダブルヘテロ接合をもつpinスラブ光導波路における電圧印加時の屈折率分布 / p121 (0066.jp2)
  37. 5-9 InGaAsP/InPダブルヘテロ接合をもつpinスラブ光導波路における一次電気光学効果による位相変調効率の算出とその最適構造の検討 / p129 (0070.jp2)
  38. 5-10 まとめ / p143 (0077.jp2)
  39. 第5章 参考文献 / p146 (0079.jp2)
  40. 第6章 InGaAsP/InP分岐干渉型(マッハツェンダ型)光変調器 / p149 (0080.jp2)
  41. 6-1 はじめに / p149 (0080.jp2)
  42. 6-2 分岐干渉型光変調器の構造 / p150 (0081.jp2)
  43. 6-3 分岐干渉型光変調器の動作原理 / p152 (0082.jp2)
  44. 6-4 分岐干渉型光変調器の製作 / p158 (0085.jp2)
  45. 6-5 分岐干渉型光変調器の電気的特性 / p159 (0085.jp2)
  46. 6-6 分岐干渉型光変調器の光変調特性 / p163 (0087.jp2)
  47. 6-7 まとめ / p170 (0091.jp2)
  48. 第6章 参考文献 / p171 (0091.jp2)
  49. 第7章 ヘテロダイン受信用モノリシック光集積回路 / p175 (0093.jp2)
  50. 7-1 はじめに / p175 (0093.jp2)
  51. 7-2 モノリシックヘテロダイン受信器の構造と製作方法 / p177 (0094.jp2)
  52. 7-3 突き合わせ結合(バットジョイント)法による光結合 / p184 (0098.jp2)
  53. 7-4 モノリシックヘテロダイン受信器の動作原理 / p189 (0100.jp2)
  54. 7-5 素子特性 / p192 (0102.jp2)
  55. 7-6 まとめ / p202 (0107.jp2)
  56. 第7章 参考文献 / p205 (0108.jp2)
  57. 第8章 結論 / p208 (0110.jp2)
  58. 謝辞 / p211 (0111.jp2)
  59. 研究業績 / p212 (0112.jp2)
  60. 付録A-1 ファブリペロー共振法における共振特性と伝搬損失との関係 / p215 (0113.jp2)
  61. 付録A-2 InGaAsP/InP光導波路型位相変調器の伝搬光の偏光状態 / p222 (0117.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000086631
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000086845
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000250945
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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