有機金属を用いた化合物半導体薄膜成長における反応機構に関する研究 yuki kinzoku o mochiita kagobutsu handotai hakumaku seicho ni okeru han'no kiko ni kansuru kenkyu

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著者

    • 真下, 正夫 マシタ, マサオ

書誌事項

タイトル

有機金属を用いた化合物半導体薄膜成長における反応機構に関する研究

タイトル別名

yuki kinzoku o mochiita kagobutsu handotai hakumaku seicho ni okeru han'no kiko ni kansuru kenkyu

著者名

真下, 正夫

著者別名

マシタ, マサオ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第853号

学位授与年月日

1991-10-17

注記・抄録

博士論文

制度:新 ; 文部省報告番号:乙853号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1991-10-17 ; 早大学位記番号:新1744 ; 理工学図書館請求番号:1483

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 1章 序論 / p1 (0005.jp2)
  3. 1.1 はじめに / p1 (0005.jp2)
  4. 1.2 有機金属気相成長(MOCVD)法の現状 / p2 (0006.jp2)
  5. 1.3 MOCVD技術の課題と将来方向 / p16 (0013.jp2)
  6. 1.4 本研究の目的 / p17 (0013.jp2)
  7. 1章の参考文献 / p18 (0014.jp2)
  8. 2章 減圧下における気相の温度分布と原料の濃度分布の測定 / p19 (0014.jp2)
  9. 2.1 はじめに -境界層モデル- / p19 (0014.jp2)
  10. 2.2 気相の温度測定の方法 / p22 (0016.jp2)
  11. 2.3 気相の温度分布 / p29 (0019.jp2)
  12. 2.4 原料の濃度分布測定 / p35 (0022.jp2)
  13. 2.5 2章のまとめ / p37 (0023.jp2)
  14. 2章の参考文献 / p38 (0024.jp2)
  15. 3章 原料気体の熱分解反応 / p39 (0024.jp2)
  16. 3.1 はじめに / p39 (0024.jp2)
  17. 3.2 質量分析法による熱分解の解析 / p39 (0024.jp2)
  18. 3.3 単体原料気体の熱分解反応-トリメチルアルミニウム(TMA)、トリメチルガリウム(TMG)、トリエチルガリウム(TEG)、アルシン(AsH₃)- / p50 (0030.jp2)
  19. 3.4 分子軌道法を用いたTMGとTEGの熱分解反応素過程解析 / p59 (0034.jp2)
  20. 3.5 原料気体の熱分解に対する水素の効果 / p70 (0040.jp2)
  21. 3.6 III族原料気体の熱分解に対するAsH₃の効果 / p81 (0045.jp2)
  22. 3.7 分解種の濃度分布 / p93 (0051.jp2)
  23. 3.8 多元III族原料気体のアルキル基交換反応および熱分解反応 / p106 (0058.jp2)
  24. 3.9 3章のまとめ / p115 (0062.jp2)
  25. 3章の参考文献 / p118 (0064.jp2)
  26. 4章 MOCVD法によるGaAsおよびAlGaAsの成長 / p121 (0065.jp2)
  27. 4.1 はじめに / p121 (0065.jp2)
  28. 4.2 MOCVDの反応機構 / p124 (0067.jp2)
  29. 4.3 MOCVDの成長機構 / p148 (0079.jp2)
  30. 4.4 MOCVD法によるGaAsおよびAlGaAs成長膜の特性 / p167 (0088.jp2)
  31. 4.5 AlGaAs混晶の組成制御 / p185 (0097.jp2)
  32. 4.6 GaAsへのシリコンのド一ピング / p189 (0099.jp2)
  33. 4.7 4章のまとめ / p225 (0117.jp2)
  34. 4章の参考文献 / p228 (0119.jp2)
  35. 5章 MOCVD法による原子層エピタキシャル(ALE)成長 / p233 (0121.jp2)
  36. 5.1 はじめに / p233 (0121.jp2)
  37. 5.2 GaAsおよびAIAsの原子層成長と光励起効果 / p235 (0122.jp2)
  38. 5.3 原子層成長の機構 / p244 (0127.jp2)
  39. 5.4 原子層成長の光励起機構 / p273 (0141.jp2)
  40. 5.5 5章のまとめ / p291 (0150.jp2)
  41. 5章の参考文献 / p292 (0151.jp2)
  42. 6章 結論 / p294 (0152.jp2)
  43. 6.1 本研究の要約 / p294 (0152.jp2)
  44. 6.2 今後の展望 / p297 (0153.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000086635
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000086849
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000250949
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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