有機金属気相成長法によるAlGaInPの結晶成長に関する研究 yuki kinzoku kiso seichoho ni yoru eierujieiaienupi no kessho seicho ni kansuru kenkyu

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著者

    • 池田, 昌夫 イケダ, マサオ

書誌事項

タイトル

有機金属気相成長法によるAlGaInPの結晶成長に関する研究

タイトル別名

yuki kinzoku kiso seichoho ni yoru eierujieiaienupi no kessho seicho ni kansuru kenkyu

著者名

池田, 昌夫

著者別名

イケダ, マサオ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第862号

学位授与年月日

1991-12-05

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 1-1 本研究の背景 / p1 (0004.jp2)
  4. 1-2 AlGaInP混晶 / p2 (0005.jp2)
  5. 1-3 AlGaInP混晶の有機金属気相成長法(MOCVD)とその問題点 / p4 (0006.jp2)
  6. 1-4 本論文の目的と構成 / p5 (0006.jp2)
  7. 第2章 MOCVDによるAlGaInP混晶のエピタキシャル成長 / p7 (0007.jp2)
  8. 2-1 原料の選択とMOCVDの改良 / p7 (0007.jp2)
  9. 2-2 組成制御 / p9 (0008.jp2)
  10. 2-3 成長層均一性の改善 / p16 (0012.jp2)
  11. 第3章 AlGaInP成長層の特性評価 / p18 (0013.jp2)
  12. 3-1 電気的特性 / p19 (0013.jp2)
  13. 3-2 光学的特性 / p57 (0032.jp2)
  14. 3-3 自然超格子 / p81 (0044.jp2)
  15. 第4章 AlGaInP系可視光半導体レーザの作製 / p91 (0049.jp2)
  16. 4-1 GalnPを活性層とする可視光半導体レーザ / p92 (0050.jp2)
  17. 4-2 AlGaInP系可視光半導体レーザの短波長化 / p102 (0055.jp2)
  18. 4-3 AlGaAs系半導体レーザとの比較 / p109 (0058.jp2)
  19. 第5章 結論 / p112 (0060.jp2)
  20. 参考文献 / p114 (0061.jp2)
  21. 謝辞 / p119 (0063.jp2)
  22. 本研究に関する発表論文 / p120 (0064.jp2)
5アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000086644
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000086858
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000250958
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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