プラズマCVDの基礎過程とその応用に関する研究 purazuma shivuidi no kiso katei to sono oyo ni kansuru kenkyu

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著者

    • 鈴木, 攝 スズキ, セツ

書誌事項

タイトル

プラズマCVDの基礎過程とその応用に関する研究

タイトル別名

purazuma shivuidi no kiso katei to sono oyo ni kansuru kenkyu

著者名

鈴木, 攝

著者別名

スズキ, セツ

学位授与大学

早稲田大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第865号

学位授与年月日

1991-12-05

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 1 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.1 本論文の概要 / p1 (0006.jp2)
  4. 1.2 低温エピタキシャル成長とプラズマCVD / p3 (0008.jp2)
  5. 1.3 本論文の構成 / p7 (0012.jp2)
  6. 2 誘導結合型プラズマCVD法によるSiのエピタキシャル成長 / p12 (0017.jp2)
  7. 2.1 予備実験的な誘導結合型プラズマCVD装置 / p13 (0018.jp2)
  8. 2.2 Siの低温エピタキシャル成長の試み / p17 (0022.jp2)
  9. 2.3 Si成長層の結晶欠陥の基板温度依存性 / p23 (0028.jp2)
  10. 2.4 誘導結合型プラズマCVD装置 / p26 (0031.jp2)
  11. 2.5 誘導型プラズマCVD法によるSiの低温成長層 / p28 (0033.jp2)
  12. 2.6 PCl₃によるn型不純物ドーピング / p34 (0039.jp2)
  13. 2.7 本章のまとめ / p36 (0041.jp2)
  14. 3 静電結合型プラズマCVD法によるSiのエピタキシャル成長 / p41 (0046.jp2)
  15. 3.1 静電結合型プラズマCVD装置 / p42 (0047.jp2)
  16. 3.2 Siの成長速度の基板温度依存性 / p46 (0051.jp2)
  17. 3.3 成長直前の基板表面処理と結晶性 / p48 (0053.jp2)
  18. 3.4 TEMによるSi成長層の結晶欠陥の観察 / p51 (0056.jp2)
  19. 3.5 Si成長層の電気的特性 / p51 (0056.jp2)
  20. 3.6 低温でドープされた不純物の電気的活性化 / p54 (0059.jp2)
  21. 3.7 本章のまとめ / p57 (0062.jp2)
  22. 4 プラズマCVDによるSi低温成長の機構 / p60 (0065.jp2)
  23. 4.1 反応吸着点モデルによる成長速度 / p61 (0066.jp2)
  24. 4.2 Si-H₂-SiH₄系の熱平衡 / p62 (0067.jp2)
  25. 4.3 プラズマCVD過程によるSiの低温成長機構 / p64 (0069.jp2)
  26. 4.4 本章のまとめ / p70 (0075.jp2)
  27. 5 Si-Ge混晶のエピタキシャル成長 / p72 (0077.jp2)
  28. 5.1 プラズマCVD法による混晶成長の特長 / p73 (0078.jp2)
  29. 5.2 実験条件 / p73 (0078.jp2)
  30. 5.3 Ge組成と表面モフォロジー / p74 (0079.jp2)
  31. 5.4 後方散乱法による結晶性評価と阻止能の補正 / p77 (0082.jp2)
  32. 5.5 SiGe混晶の形成の確認 / p81 (0086.jp2)
  33. 5.6 透過電子顕微鏡による結晶欠陥の観察 / p84 (0089.jp2)
  34. 5.7 電気的測定:Hall移動度の温度特性 / p86 (0091.jp2)
  35. 5.8 Geによる結晶性改善の機構 / p88 (0093.jp2)
  36. 5.9 本章のまとめ / p91 (0096.jp2)
  37. 6 Si-Ge緩衝層上のSiエピタキシャル成長 / p94 (0099.jp2)
  38. 6.1 Siの表面清浄化法としてのGe添加 / p95 (0100.jp2)
  39. 6.2 Si/Si-Ge/Si構造の形成 / p96 (0101.jp2)
  40. 6.3 Si層中の結晶欠陥種に与えるSi-Ge緩衝層の効果 / p98 (0103.jp2)
  41. 6.4 上層Si成長層の電気的特性の改善 / p98 (0103.jp2)
  42. 6.5 上層Si成長層の結晶性改善の要因 / p100 (0105.jp2)
  43. 6.6 本章のまとめ / p104 (0109.jp2)
  44. 7 プラズマCVD法による多結晶Si成長 / p106 (0111.jp2)
  45. 7.1 実験 / p107 (0112.jp2)
  46. 7.2 多結晶膜の堆積 / p107 (0112.jp2)
  47. 7.3 多結晶層の電気的特性 / p113 (0118.jp2)
  48. 7.4 多結晶層の薄膜デバイスへの応用 / p119 (0124.jp2)
  49. 7.5 本章のまとめ / p123 (0128.jp2)
  50. 8 結論 / p127 (0132.jp2)
  51. 謝辞 / p132 (0137.jp2)
  52. 研究業績 / p133 (0138.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000086647
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000086861
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000250961
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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