AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET高性能化の研究 eierujieieiesu jieieiesu hetero kozo efuiti koseinoka no kenkyu
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Bibliographic Information
- Title
-
AlGaAs/GaAsヘテロ構造FET高性能化の研究
- Other Title
-
eierujieieiesu jieieiesu hetero kozo efuiti koseinoka no kenkyu
- Author
-
平野, 真
- Author(Another name)
-
ヒラノ, マコト
- University
-
早稲田大学
- Types of degree
-
工学博士
- Grant ID
-
乙第867号
- Degree year
-
1991-12-05
Note and Description
博士論文
制度:新 ; 文部省報告番号:乙867号 ; 学位の種類:博士(工学) ; 授与年月日:1991/12/5 ; 早大学位記番号:新1762 ; 理工学図書館請求番号:1504
本文PDFは平成22年度国立国会図書館の学位論文(博士)のデジタル化実施により作成された画像ファイルをPDFに変換したものである。
text
Table of Contents
- 目次 / p1 (0003.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0005.jp2)
- §1.1 研究の背景-高速素子開発と集積化への課題 / p1 (0005.jp2)
- §1.2 基本回路形式とFETの種類 / p9 (0009.jp2)
- §1.3 各種ヘテロ構造FETとバンド･ダイヤグラム / p13 (0011.jp2)
- §1.4 本研究の目的と概要 / p20 (0015.jp2)
- 参考文献 / p23 (0016.jp2)
- 第2章 nチャネル変調ドープ形ヘテロ構造FET(n-ch MODHFETs) / p25 (0017.jp2)
- §2.1 はじめに / p25 (0017.jp2)
- §2.2 素子構造･動作原理 / p26 (0018.jp2)
- §2.3 製作法 / p32 (0021.jp2)
- §2.4 電流特性解析 / p40 (0025.jp2)
- §2.5 まとめ / p57 (0033.jp2)
- 参考文献 / p59 (0034.jp2)
- 第3章 nチャネルMIS形ヘテロ構造FET(n-ch MISHFETs) / p61 (0035.jp2)
- §3.1 はじめに / p61 (0035.jp2)
- §3.2 素子構造･動作原理 / p62 (0036.jp2)
- §3.3 基本製作法(製作工程) / p67 (0038.jp2)
- §3.4 ゲート形成技術の検討 / p70 (0040.jp2)
- §3.4 n⁺注入領域形成条件の検討 / p84 (0047.jp2)
- §3.5 基板バイアス効果を用いた電流特性解析 / p98 (0054.jp2)
- §3.6 回路への適合性 / p117 (0063.jp2)
- §3.7 まとめ / p120 (0065.jp2)
- 参考文献 / p123 (0066.jp2)
- 第4章 pチャネル変調ドープ形ヘテロ構造FET(p-Ch MODHFETs) / p125 (0067.jp2)
- §4.1 はじめに / p125 (0067.jp2)
- §4.2 素子構造･動作原理 / p127 (0068.jp2)
- §4.3 基本製作法(製作工程) / p133 (0071.jp2)
- §4.4 電流特性解析 / p136 (0073.jp2)
- §4.5 まとめ / p152 (0081.jp2)
- 参考文献 / p154 (0082.jp2)
- 第5章 pチャネルMIS形ヘテロ構造FET(p-ch MISHFETs) / p155 (0082.jp2)
- §5.1 はじめに / p155 (0082.jp2)
- §5.2 素子構造･動作原理 / p157 (0083.jp2)
- §5.3 基本製作法(製作工程) / p160 (0085.jp2)
- §5.4 オーミック･コンタクトの検討 / p163 (0086.jp2)
- §5.5 電流特性解析 / p170 (0090.jp2)
- §5.6 回路への適合性 / p181 (0095.jp2)
- §5.7 まとめ / p197 (0103.jp2)
- 参考文献 / p199 (0104.jp2)
- 第6章 総論 / p201 (0105.jp2)
- 謝辞 / p206 (0108.jp2)
- 本研究に関する論文発表 / p208 (0109.jp2)