中性子転換注入によるGaAsへのドーピングに関する研究

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著者

    • 佐藤, 政孝 サトウ, マサタカ

書誌事項

タイトル

中性子転換注入によるGaAsへのドーピングに関する研究

著者名

佐藤, 政孝

著者別名

サトウ, マサタカ

学位授与大学

法政大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第25号

学位授与年月日

1992-03-24

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 第2章 半導体への中性子照射効果 / p6 (0007.jp2)
  4. 2.1 中性子と固体の相互作用 / p6 (0007.jp2)
  5. 2.2 GaAsへの不純物ドーピングへの応用 / p9 (0008.jp2)
  6. 第3章 中性子照射GaAsの電気特性 / p15 (0011.jp2)
  7. 3.1 中性子照射設備と照射条件 / p15 (0011.jp2)
  8. 3.2 電気特性の熱処理温度依存性 / p26 (0017.jp2)
  9. 3.3 結論 / p32 (0020.jp2)
  10. 第4章 GaAsにおける中性子照射損傷 / p33 (0020.jp2)
  11. 4.1 格子欠陥の評価 / p33 (0020.jp2)
  12. 4.2 電気的・光学的評価 / p51 (0029.jp2)
  13. 4.3 結論 / p63 (0035.jp2)
  14. 第5章 中性子転換注入法によるGaAsの電気特性制御 / p64 (0036.jp2)
  15. 5.1 不純物の電気的活性化 / p64 (0036.jp2)
  16. 5.2 中性子照射量と電気特性の関係 / p99 (0053.jp2)
  17. 5.3 GaAsデバイス応用への展望 / p103 (0055.jp2)
  18. 5.4 結論 / p108 (0058.jp2)
  19. 第6章 結論 / p109 (0058.jp2)
  20. 付録 Inドープ無転位GaAsの結晶性評価 / p110 (0059.jp2)
  21. 付.1 格子歪の評価 / p111 (0059.jp2)
  22. 付.2 欠陥準位の挙動 / p117 (0062.jp2)
  23. 付.3 結論 / p128 (0068.jp2)
  24. 謝辞 / p129 (0068.jp2)
  25. 参考文献 / p130 (0069.jp2)
  26. 研究業績 / p139 (0073.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000086674
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000086888
  • DOI(NDL)
  • 本文言語コード
    • jpn
  • NDL書誌ID
    • 000000250988
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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