Disordered atomic arrangement and properties of alloy semiconductors 混晶半導体の原子配列不規則性と物性に関する研究

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著者

    • 嘉数, 誠 カスウ, マコト

書誌事項

タイトル

Disordered atomic arrangement and properties of alloy semiconductors

タイトル別名

混晶半導体の原子配列不規則性と物性に関する研究

著者名

嘉数, 誠

著者別名

カスウ, マコト

学位授与大学

京都大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第5151号

学位授与年月日

1992-05-23

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 論文目録 / (0001.jp2)
  2. ABSTRACT / p1 (0006.jp2)
  3. CONTENTS / p4 (0008.jp2)
  4. References / p6 (0009.jp2)
  5. II. FABRICATION OF DISORDERED SUPERLATTICE / p7 (0009.jp2)
  6. 2-1 Introduction / p7 (0009.jp2)
  7. 2-2 Molecular Beam Epitaxy / p7 (0009.jp2)
  8. 2-3 Fabrication / p11 (0011.jp2)
  9. 2-4 Structural Analysis / p12 (0012.jp2)
  10. 2-5 Summary / p14 (0013.jp2)
  11. References / p15 (0013.jp2)
  12. III. PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF AlAs/GaAs DISORDERED SUPERLATTICES / p16 (0014.jp2)
  13. 3-1 Introduction / p16 (0014.jp2)
  14. 3-2 Photoluminescence Measurement Procedure / p18 (0015.jp2)
  15. 3-3 Photoluminescence Results / p18 (0015.jp2)
  16. 3-4 Discussion / p28 (0020.jp2)
  17. 3-5 Summary / p31 (0021.jp2)
  18. References / p33 (0022.jp2)
  19. IV. OPTICAL ABSORPTION OF AlAs/GaAs DISORDERED SUPERLATTICES / p35 (0023.jp2)
  20. 4-1 Introduction / p35 (0023.jp2)
  21. 4-2 Optical Absorption Measurement Procedure / p35 (0023.jp2)
  22. 4-3 Optical Absorption Results / p37 (0024.jp2)
  23. 4-4 Discussion / p40 (0026.jp2)
  24. 4-5 Summary / p43 (0027.jp2)
  25. References / p44 (0028.jp2)
  26. V. PHOTOLUMINESCENCE LIFETIME OF AlAs/GaAs DISORDERED SUPERLATTICE / p45 (0028.jp2)
  27. 5-1 Introduction / p45 (0028.jp2)
  28. 5-2 Time-Resolved Photoluminescence Procedure / p46 (0029.jp2)
  29. 5-3 Results and Discussion / p46 (0029.jp2)
  30. 5-4 Summary / p51 (0031.jp2)
  31. References / p52 (0032.jp2)
  32. VI. PHOTOLUMINESCENCE PROPERTIES OF AlAs/AlxGa₁₋xAs (x=0.5) DISORDERED SUPERLATTICES / p53 (0032.jp2)
  33. 6-1 Introduction / p53 (0032.jp2)
  34. 6-2 Experimental Procedure / p53 (0032.jp2)
  35. 6-3 Results and Discussion / p56 (0034.jp2)
  36. 6-4 Summary / p63 (0037.jp2)
  37. References / p64 (0038.jp2)
  38. VII. ELECTROLUMINESCENCE OF AlAs/GaAs DISORDERED SUPERLATTICES / p65 (0038.jp2)
  39. 7-1 Introduction / p65 (0038.jp2)
  40. 7-2 Electroluminescence Procedure / p65 (0038.jp2)
  41. 7-3 Electroluminescence Results / p66 (0039.jp2)
  42. 7-4 Discussion / p67 (0039.jp2)
  43. 7-5 Summary / p70 (0041.jp2)
  44. References / p71 (0041.jp2)
  45. VIII. OBSERVATIONS AND CHARACTERIZATION OF DX CENTERS IN AlAs / p72 (0042.jp2)
  46. 8-1 Introduction / p72 (0042.jp2)
  47. 8-2 Sample Preparation / p74 (0043.jp2)
  48. 8-3 Experimental Procedure / p74 (0043.jp2)
  49. 8-4 Experimental Results / p76 (0044.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000086778
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000086992
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000251092
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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