DSA MOSトランジスターの評価方法、及びデバイス特性の研究

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著者

    • 大橋, 寛 オオハシ, ヒロシ

書誌事項

タイトル

DSA MOSトランジスターの評価方法、及びデバイス特性の研究

著者名

大橋, 寛

著者別名

オオハシ, ヒロシ

学位授与大学

東京農工大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第14号

学位授与年月日

1992-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / p4 (0006.jp2)
  2. 1章 緒論 / p1 (0008.jp2)
  3. 1.1 DSA MOSトランジスター / p2 (0009.jp2)
  4. 1.2 問題点の概要と研究目的 / p8 (0015.jp2)
  5. 2章 DSA M0Sトランジスターの容量特性 / p14 (0021.jp2)
  6. 2.1 緒言 / p14 (0021.jp2)
  7. 2.2 M0S容量特性(空乏近似) / p14 (0021.jp2)
  8. 2.3 電子、正孔分布の電位依存性を考慮した容量特性 / p18 (0025.jp2)
  9. 2.4 横方向に濃度分布がある場合の容量特性 / p21 (0028.jp2)
  10. 2.5 DSA M0Sトランジスターの容量測定 / p33 (0040.jp2)
  11. 2.6 解析結果 / p35 (0042.jp2)
  12. 2.7 結言 / p38 (0045.jp2)
  13. 3章 DSA M0Sトランジスターのパラメーターの測定 / p39 (0046.jp2)
  14. 3.1 緒言 / p39 (0046.jp2)
  15. 3.2 ノンプレーナ形DSA(V-MOS)トランジスター / p40 (0047.jp2)
  16. 3.3 V-M0S容量測定 / p44 (0051.jp2)
  17. 3.4 容量解析によるデバイスパラメータの測定 / p44 (0051.jp2)
  18. 3.5 チャネル界面の不純物濃度分布の測定法 / p49 (0056.jp2)
  19. 3.6 デバイスパラメータの測定結果 / p56 (0063.jp2)
  20. 3.7 考察 / p60 (0067.jp2)
  21. 3.8 結言 / p68 (0075.jp2)
  22. 4章 耐電圧(パンチスルー)特性 / p69 (0076.jp2)
  23. 4.1 緒言 / p69 (0076.jp2)
  24. 4.2 不純物拡散分布 / p72 (0079.jp2)
  25. 4.3 拡散窓のコーナー部でのパンチスルー電圧解析モデル(円環近似モデル) / p78 (0085.jp2)
  26. 4.4 4角形拡散窓形状とパンチスルー電圧の測定 / p85 (0092.jp2)
  27. 4.5 考察 / p89 (0096.jp2)
  28. 4.6 結言 / p90 (0097.jp2)
  29. 5章 結論 / p91 (0098.jp2)
  30. 参考文献 / p93 (0100.jp2)
  31. 発表論文 / p98 (0105.jp2)
  32. 謝辞 / p99 (0106.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000086865
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000087080
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000251179
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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