光CVD五酸化タンタル薄膜の堆積とリーク電流低減の機構に関する研究

この論文をさがす

著者

    • 谷本, 智 タニモト, サトシ

書誌事項

タイトル

光CVD五酸化タンタル薄膜の堆積とリーク電流低減の機構に関する研究

著者名

谷本, 智

著者別名

タニモト, サトシ

学位授与大学

東京農工大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第18号

学位授与年月日

1992-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 【第1章 序論】 / p1 (0006.jp2)
  2. 1.1 本研究の歴史的背景 / p1 (0006.jp2)
  3. 1.2 低リーク電流酸化タンタル膜の実現 / p5 (0008.jp2)
  4. 1.3 本研究のあらましと意義 / p8 (0010.jp2)
  5. 【第2章 光CVD装置の構成と操作法】 / p17 (0014.jp2)
  6. 2.1 緒言 / p17 (0014.jp2)
  7. 2.2 光CVD兼活性酸素アニール装置の構成 / p17 (0014.jp2)
  8. 2.3 操作法の注意 / p18 (0015.jp2)
  9. 2.4 基板洗浄 / p19 (0015.jp2)
  10. 2.5 結言 / p21 (0016.jp2)
  11. 【第3章 リーク電流を低減させる要因】光CVD+活性酸素ア二ール法 / p25 (0018.jp2)
  12. 3.1 緒言 / p25 (0018.jp2)
  13. 3.2 実験手法 / p25 (0018.jp2)
  14. 3.3 CVDの光励起がリーク電流低減に与える影響 / p28 (0020.jp2)
  15. 3.4 最大貢献活性酸素種の同定―活性酸素ア二ール / p30 (0021.jp2)
  16. 3.5 Si原子の役割 / p34 (0023.jp2)
  17. 3.6 結言 / p36 (0024.jp2)
  18. 【第4章 光電子分光法によるTa₂O₅膜のキャラクタリゼーション】 / p56 (0034.jp2)
  19. 4.1 緒言 / p56 (0034.jp2)
  20. 4.2 実験 / p56 (0034.jp2)
  21. 4.3 予備分析 / p59 (0035.jp2)
  22. 4.4 Ta₂O₅膜のSiの挙動 / p60 (0036.jp2)
  23. 4.5 Taの挙動 / p66 (0039.jp2)
  24. 4.6 結言 / p68 (0040.jp2)
  25. 【第5章 活性酸素ア二ールによるリーク電流の低減のメカニズム】 / p92 (0052.jp2)
  26. 5.1 緒言 / p92 (0052.jp2)
  27. 5.2 膜内部の点欠陥の分類 / p92 (0052.jp2)
  28. 5.3 リーク電流低減のシーケンス / p94 (0053.jp2)
  29. 5.4 新しい電流低減メカニズムの提案 / p94 (0053.jp2)
  30. 5.5 TaとSiの原子価差 / p95 (0053.jp2)
  31. 5.6 他の欠陥モデル批判 / p96 (0054.jp2)
  32. 5.7 最有効活性酸素種の決定―O(¹D)か0₂(¹△)か / p98 (0055.jp2)
  33. 5.8 結言 / p99 (0055.jp2)
  34. 【第6章 原料交互導入法による堆積素過程の解析】 / p109 (0060.jp2)
  35. 6.1 緒言 / p109 (0060.jp2)
  36. 6.2 実験手法 / p109 (0060.jp2)
  37. 6.3 実験結果 / p114 (0063.jp2)
  38. 6.4 結言 / p123 (0067.jp2)
  39. 【第7章 オゾンを用いた低リーク電流】as-grown 光CVD Ta₂O₅膜 / p133 (0072.jp2)
  40. 7.1 緒言 / p133 (0072.jp2)
  41. 7.2 0₃を用いた光CVDの発端 / p133 (0072.jp2)
  42. 7.3 0(¹D)の高効率発生法 / p134 (0073.jp2)
  43. 7.4 Ta₂O₅膜の堆積 / p135 (0073.jp2)
  44. 7.5 as-grown低リーク電流膜実現 / p136 (0074.jp2)
  45. 7.6 非Si系の基板の特性 / p136 (0074.jp2)
  46. 7.7 高周波CV特性 / p137 (0074.jp2)
  47. 7.8 段差被覆性の評価 / p137 (0074.jp2)
  48. 7.9 結言 / p138 (0075.jp2)
  49. 【第8章 結論】 / p149 (0080.jp2)
  50. 【謝辞】 / p153 (0082.jp2)
  51. 【巻末付録】 / p155 (0083.jp2)
  52. A.1 Ta₂O₅膜のXPS分析のための標準データ / p155 (0083.jp2)
  53. A.2 吸着種による光吸収の計算 / p155 (0083.jp2)
  54. A.3 オゾン光CVDの気相における酸素とオゾンの光吸収量 / p157 (0084.jp2)
0アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000086869
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000087084
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000251183
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
ページトップへ