X線散乱による結晶表面評価法の研究

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著者

    • 柏倉, 伸男 カシワグラ, ノブオ

書誌事項

タイトル

X線散乱による結晶表面評価法の研究

著者名

柏倉, 伸男

著者別名

カシワグラ, ノブオ

学位授与大学

名古屋大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第4011号

学位授与年月日

1991-08-27

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0004.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  3. 第2章 Crstal Truncation Rodの検証 / p6 (0011.jp2)
  4. §2-1 接触入射による散乱体の厚みの推定 / p6 (0011.jp2)
  5. §2-2 傾斜表面からの棒状散乱 / p8 (0013.jp2)
  6. §2-3 断面TEMによる観察 / p9 (0014.jp2)
  7. 第3章 表面の切断効果と回折 / p15 (0020.jp2)
  8. 第4章 CTR散乱の基本的特徴 / p21 (0026.jp2)
  9. §4-1 CTR散乱の2次元強度式 / p21 (0026.jp2)
  10. §4-2 CTR散乱の方向 / p25 (0030.jp2)
  11. §4-3 CTR散乱の軸方向の強度分布 / p26 (0031.jp2)
  12. 第5章 CTR散乱の測定 / p32 (0037.jp2)
  13. §5-1 通常の4軸回析計と回転対陰極X線発生装置による測定 / p32 (0037.jp2)
  14. §5-2 3結晶回析法と放射光による測定 / p34 (0039.jp2)
  15. 第6章 CTR散乱による結晶表面のmorphologyの解析例(I) [等強度曲線図による定性的解析] / p39 (0044.jp2)
  16. §6-1 lappingとchemical ethingしたSi、GaAs表面 / p39 (0044.jp2)
  17. §6-2 Mechano-chemical polishingしたSi、GaAs表面 / p41 (0046.jp2)
  18. §6-3 Si表面に対するalkali etchingの影響 / p43 (0048.jp2)
  19. §6-4 エピタキシャル成長層の表面 / p44 (0049.jp2)
  20. 第7章 CTR散乱による結晶表面のmorphologyの解析例(II) [CTR散乱の積分強度の軸方向の強度分布による解析] / p51 (0056.jp2)
  21. 第8章 CTR散乱による結晶表面のmorphologyの解析例(III) [CTR散乱の軸に垂直な方向のプロファイルによる解析] / p57 (0062.jp2)
  22. §8-1 Mechano-chemical polishingしたSi表面 / p57 (0062.jp2)
  23. §8-2 網平面に対して傾斜したSi表面 / p59 (0064.jp2)
  24. §8-3 モザイク結晶の表面 / p59 (0064.jp2)
  25. §8-4 lapping後chemical etchingしたSi表面 / p61 (0066.jp2)
  26. 第9章 総括 / p70 (0075.jp2)
  27. 謝辞 / p73 (0078.jp2)
  28. 参考文献 / p74 (0079.jp2)
  29. Appendix / A1 / (0081.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000087301
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000087517
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000251615
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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