顕微光応答法の開発と金属-半導体界面評価への応用

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著者

    • 塩島, 謙次 シオジマ, ケンジ

書誌事項

タイトル

顕微光応答法の開発と金属-半導体界面評価への応用

著者名

塩島, 謙次

著者別名

シオジマ, ケンジ

学位授与大学

東京都立大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

甲第290号

学位授与年月日

1992-03-25

注記・抄録

博士論文

目次

  1. 目次 / (0005.jp2)
  2. 論文要旨 / (0003.jp2)
  3. 第1章 序論 / p1 (0006.jp2)
  4. 1-1 半導体デバイスにおける金属-半導体界面の役割 / p1 (0006.jp2)
  5. 1-2 本研究の目的、位置づけ / p5 (0008.jp2)
  6. 1-3 本論文の構成 / p8 (0010.jp2)
  7. 参考文献 / p10 (0011.jp2)
  8. 第2章 金属-半導体界面の評価法 / p12 (0012.jp2)
  9. 2-1 概要 / p12 (0012.jp2)
  10. 2-2 金属-半導体界面の物性 / p12 (0012.jp2)
  11. 2-3 電気的性質の評価法 / p15 (0013.jp2)
  12. 2-4 界面構造、組成の評価法 / p24 (0018.jp2)
  13. 2-5 顕微光応答法の特徴 / p27 (0019.jp2)
  14. 2-6 要約 / p31 (0021.jp2)
  15. 参考文献 / p31 (0021.jp2)
  16. 第3章 顕微光応答法の開発 / p35 (0023.jp2)
  17. 3-1 概要 / p35 (0023.jp2)
  18. 3-2 顕微光応答法の原理 / p35 (0023.jp2)
  19. 3-3 簡易型顕微光応答装置 / p38 (0025.jp2)
  20. 3-4 高分解能顕微光応答装置 / p51 (0031.jp2)
  21. 3-5 界面組成、表面損傷の評価例 / p70 (0041.jp2)
  22. 3-6 要約 / p99 (0055.jp2)
  23. 参考文献 / p99 (0055.jp2)
  24. 第4章 FIB注入により導入された表面損傷の評価 / p101 (0056.jp2)
  25. 4-1 概要 / p101 (0056.jp2)
  26. 4-2 FIB技術について / p102 (0057.jp2)
  27. 4-3 試料の製作 / p107 (0059.jp2)
  28. 4-4 顕微光応答法による二次元評価 / p114 (0063.jp2)
  29. 4-5 光電流増加の原因 / p133 (0072.jp2)
  30. 4-6 迷光性ビームの解明 / p149 (0080.jp2)
  31. 4-7 要約 / p164 (0088.jp2)
  32. 参考文献 / p165 (0088.jp2)
  33. 第5章 Au/Pt/Ti/GaAs構造における熱劣化過程の評価 / p169 (0090.jp2)
  34. 5-1 概要 / p169 (0090.jp2)
  35. 5-2 金属/GaAs構造の反応 / p169 (0090.jp2)
  36. 5-3 電気的性質の評価 / p171 (0091.jp2)
  37. 5-4 界面反応層の冶金学的性質 / p186 (0099.jp2)
  38. 5-5 界面反応のモデル / p196 (0104.jp2)
  39. 5-6 要約 / p205 (0108.jp2)
  40. 参考文献 / p206 (0109.jp2)
  41. 第6章 結論 / p209 (0110.jp2)
  42. 謝辞 / p211 (0111.jp2)
2アクセス

各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000087690
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000087906
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000252004
  • データ提供元
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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