Ⅲ-Ⅴ化合物半導体超薄膜のRHEED制御を用いたMBE成長とラマン分光評価に関する研究

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著者

    • 岩井, 嘉男 イワイ, ヨシオ

書誌事項

タイトル

Ⅲ-Ⅴ化合物半導体超薄膜のRHEED制御を用いたMBE成長とラマン分光評価に関する研究

著者名

岩井, 嘉男

著者別名

イワイ, ヨシオ

学位授与大学

大阪大学

取得学位

工学博士

学位授与番号

乙第5706号

学位授与年月日

1992-04-24

注記・抄録

博士論文

10305

博士(工学)

1992-04-24

大阪大学

14401乙第05706号

目次

  1. 目次 / p1 (0003.jp2)
  2. 第1章 序論 / p1 (0004.jp2)
  3. 参考文献 / p6 (0007.jp2)
  4. 第2章 タイプIヘテロ構造のMBE成長とその評価 / p8 (0008.jp2)
  5. 2-1 はじめに / p8 (0008.jp2)
  6. 2-2 MBE装置と薄膜成長方法 / p9 (0008.jp2)
  7. 2-3 RHEEDによる膜厚制御 / p12 (0010.jp2)
  8. 2-4 GaAs/AlGaAsヘテロ構造 / p15 (0011.jp2)
  9. 2-5 GaSb/AlSbヘテロ構造 / p21 (0014.jp2)
  10. 2-6 InAs/GaAs量子井戸構造 / p25 (0016.jp2)
  11. 2-7 まとめ / p30 (0019.jp2)
  12. 参考文献 / p32 (0020.jp2)
  13. 第3章 タイプIIヘテロ構造のMBE成長とその評価 / p34 (0021.jp2)
  14. 3-1 はじめに / p34 (0021.jp2)
  15. 3-2 ラマン散乱とその測定法 / p35 (0021.jp2)
  16. 3-3 GaAsSb混晶の組成制御 / p40 (0024.jp2)
  17. 3-4 V族元素のみが置換されるヘテロ構造 / p48 (0028.jp2)
  18. 3-5 化合物半導体上のAs₄およびSb₄ビームによる表面反応 / p54 (0031.jp2)
  19. 3-6 GaSb/GaAs量子井戸構造の光学特性 / p59 (0033.jp2)
  20. 3-7 III族とV族の両元素が置換されるヘテロ構造 / p64 (0036.jp2)
  21. 3-8 GaSb/AlSb/InAsポリタイプヘテロ構造 / p66 (0037.jp2)
  22. 3-9 まとめ / p69 (0038.jp2)
  23. 参考文献 / p71 (0039.jp2)
  24. 第4章 ラマン散乱強度解析による半導体ヘテロ構造の評価 / p74 (0041.jp2)
  25. 4-1 はじめに / p74 (0041.jp2)
  26. 4-2 GaAs/AlAs/InAsヘテロ構造 / p75 (0041.jp2)
  27. 4-3 GaSb/AlSb/GaAsヘテロ構造 / p78 (0043.jp2)
  28. 4-4 520℃で成長したGaSb/AlSb/GaAsヘテロ構造 / p80 (0044.jp2)
  29. 4-5 まとめ / p84 (0046.jp2)
  30. 参考文献 / p85 (0046.jp2)
  31. 第5章 ラマンスペクトル解析による半導体超格子構造の評価 / p86 (0047.jp2)
  32. 5-1 はじめに / p86 (0047.jp2)
  33. 5-2 GaAs/AlAs、GaSb/AlSb超格子 / p88 (0048.jp2)
  34. 5-3 InAs/GaAs歪超格子 / p91 (0049.jp2)
  35. 5-4 InAs/AlSb超格子 / p99 (0053.jp2)
  36. 5-5 まとめ / p104 (0056.jp2)
  37. 参考文献 / p105 (0056.jp2)
  38. 第6章 結論 / p106 (0057.jp2)
  39. 謝辞 / p110 (0059.jp2)
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各種コード

  • NII論文ID(NAID)
    500000088248
  • NII著者ID(NRID)
    • 8000000088467
  • DOI(NDL)
  • NDL書誌ID
    • 000000252562
  • データ提供元
    • 機関リポジトリ
    • NDL-OPAC
    • NDLデジタルコレクション
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