アーク放電蒸着法による酸化物超伝導薄膜のエピタキシャル成長に関する研究
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著者
書誌事項
- タイトル
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アーク放電蒸着法による酸化物超伝導薄膜のエピタキシャル成長に関する研究
- 著者名
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野平, 博司
- 著者別名
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ノヒラ, ヒロシ
- 学位授与大学
-
東京工業大学
- 取得学位
-
工学博士
- 学位授与番号
-
甲第2376号
- 学位授与年月日
-
1991-06-30
注記・抄録
博士論文
目次
- 論文目録 / (0002.jp2)
- 目次 / p1 (0005.jp2)
- 第1章 序論 / p1 (0009.jp2)
- 1-1 超伝導薄膜の必要性 / p2 (0010.jp2)
- 1-2 Y系高温超伝導物質の特徴 / p4 (0012.jp2)
- 1-3 薄膜形成方法とその問題点 / p8 (0016.jp2)
- 1-4 アーク放電蒸着法の特徴 / p11 (0019.jp2)
- 1-5 本研究の目的と進め方 / p12 (0020.jp2)
- 第2章 試料作製方法と評価方法 / p14 (0022.jp2)
- 2-1 はじめに / p15 (0023.jp2)
- 2-2 試料作製装置と作製プロセス / p15 (0023.jp2)
- 2-3 作製プロセス / p22 (0030.jp2)
- 2-4 試料の評価方法 / p30 (0038.jp2)
- 第3章 Y系薄膜のアーク蒸着基礎特性 / p37 (0045.jp2)
- 3-1 はじめに / p38 (0046.jp2)
- 3-2 アーク放電蒸着とその安定化 / p39 (0047.jp2)
- 3-3 Y系のアーク放電蒸着の基礎特性 / p42 (0050.jp2)
- 3-4 蒸着膜組成の蒸着条件依存性 / p46 (0054.jp2)
- 3-5 真空アーク放電蒸着と大気圧アーク放電蒸着との相違 / p63 (0071.jp2)
- 3-6 まとめ / p64 (0072.jp2)
- 第4章 アーク蒸着法における組成制御法 / p66 (0074.jp2)
- 4-1 はじめに / p67 (0075.jp2)
- 4-2 組成制御法の提案 / p68 (0076.jp2)
- 4-3 YF₃抵抗加熱蒸着源併用アーク蒸着法による組成制御 / p72 (0080.jp2)
- 4-4 2元アーク蒸着法による組成制御 / p80 (0088.jp2)
- 4-5 1元アーク蒸着法による組成制御 / p83 (0091.jp2)
- 4-6 まとめ / p89 (0097.jp2)
- 第5章 アーク蒸着膜の高温アニール後の結晶性と電気的特性 / p90 (0098.jp2)
- 5-1 はじめに / p91 (0099.jp2)
- 5-2 抵抗加熱蒸着源併用アーク蒸着膜の特性 / p91 (0099.jp2)
- 5-3 2元アーク蒸着膜の特性 / p100 (0108.jp2)
- 5-4 1元アーク蒸着膜の特性 / p102 (0110.jp2)
- 5-5 アーク蒸着膜のSIMSによる深さ方向分析 / p106 (0114.jp2)
- 5-7 まとめ / p111 (0119.jp2)
- 第6章 Y系超伝導薄膜のエピタキシャル成長 / p113 (0121.jp2)
- 6-1 はじめに / p114 (0122.jp2)
- 6-2 原子層積層1元アーク蒸着法による超伝導薄膜の形成 / p115 (0123.jp2)
- 6-3 SrTiO₃基板上へのヘテロエピタキシャル成長 / p121 (0129.jp2)
- 6-4 Yb-Ba-Cu-O/SrTiO₃/Si構造のエピタキシャル成長 / p129 (0137.jp2)
- 6-5 まとめ / p132 (0140.jp2)
- 第7章 結論 / p133 (0141.jp2)
- 7-1 本研究で得られた結論 / p134 (0142.jp2)
- 7-2 今後に残された課題 / p141 (0149.jp2)
- 謝辞 / p143 (0151.jp2)
- 参考文献 / p144 (0152.jp2)
- 本研究に関する発表文献等 / p148 (0156.jp2)